[发明专利]支撑单元及包括该单元的基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，其中，包括：

腔体，其在内部具有处理空间；

支撑单元，其位于上述腔体内并支撑基板；

气体供给单元，其向上述处理空间供给处理气体；以及

等离子体源，其根据上述处理气体产生等离子体，

其中，

上述支撑单元在其上表面形成有环状的突起，

上述支撑单元包括:

内侧槽，其位于上述突起的内侧；

外侧槽，其位于上述突起的外侧；以及

热传递气体供给线，其向上述内侧槽和上述外侧槽提供热传递气体，

上述内侧槽和上述外侧槽的深度互相不同。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

上述内侧槽位于中心区域并形成为圆形形状，

上述外侧槽形成为环形的圈形状。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，

上述内侧槽和上述外侧槽在其内部分别包括多个突出部。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，

上述突起的上端与上述突出部的上端形成在同一高度。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，

在上方观察时，上述内侧槽的面积比上述外侧槽的面积宽。

6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，

上述外侧槽的深度比上述内侧槽的深度深。

7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，

上述外侧槽的体积比上述内侧槽的体积大。

8.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，

上述外侧槽的体积与上述内侧槽的体积相同。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的基板处理装置，其中，

上述热传递气体供给线包括与上述内侧槽连接的第1热传递气体供给线和与上述外侧槽连接的第2热传递气体供给线。

10.根据权利要求1至8中任意一项所述的基板处理装置，其中，

上述支撑单元包括静电夹头。

11.根据权利要求1至8中任意一项所述的基板处理装置，其中，

上述热传递气体包括氦。

12.一种支撑单元，其在实施基板处理工序的腔体内部支撑基板，其中，

在上述支撑单元的上表面形成有环状的突起，

上述支撑单元包括:

内侧槽，其位于上述突起的内侧；

外侧槽，其位于上述突起的外侧；以及

热传递气体供给线，其向上述内侧槽和上述外侧槽提供热传递气体，

上述内侧槽与上述外侧槽的深度互相不同。

13.根据权利要求12所述的支撑单元，其中，

上述内侧槽位于中心区域并形成为圆形形状，

上述外侧槽形成为环形的圈形状。

14.根据权利要求13所述的支撑单元，其中，

上述内侧槽和上述外侧槽在其内部分别包括多个突出部。

15.根据权利要求14所述的支撑单元，其中，

上述突起的上端和上述突出部的上端形成在同一高度。

16.根据权利要求14所述的支撑单元，其中，

在上方观察时，上述内侧槽的面积比上述外侧槽的面积宽。

17.根据权利要求14所述的支撑单元，其中，

上述外侧槽的深度比上述内侧槽的深度深。

18.根据权利要求14所述的支撑单元，其中，

上述外侧槽的第2体积比上述内侧槽的第1体积大。

19.根据权利要求14所述的支撑单元，其中，

上述外侧槽的第2体积与上述内侧槽的第1体积相同。

20.根据权利要求12至19中任意一项所述的支撑单元，其中，

上述热传递气体供给线包括与上述内侧槽连接的第1热传递气体供给线和与上述外侧槽连接的第2热传递气体供给线。

21.根据权利要求12至19中任意一项所述的支撑单元，其中，

上述支撑单元包括静电夹头。