[发明专利]提高线性度的输入缓冲器

权利要求书

1.一种提高线性度的输入缓冲器，其特征在于包括：

作为跟随输入信号变化的NPN晶体管Q₁、为所述输入缓冲器提供恒流源偏置的NPN晶体管Q₂和NMOS管M₂、作为所述输入缓冲器的负载电容C_L、作为提高所述输入缓冲器的线性度用的复制负载电容C_RL。

其中，Q₁的基极接所述输入缓冲器的输入信号端V_in，Q₁的发射极接所述输入缓冲器的输出端V_out，Q₁的集电极接所述输入缓冲器的电源电压V_CC，Q₂的基极接所述输入缓冲器的偏置电压V_NB1，Q₂的集电极接Q₁的发射极，Q₂的发射极接M₂的漏极，M₂的栅极接所述输入缓冲器的偏置电压V_NB2，M₂的漏极接Q₂的发射极，M₂的源极接地，C_L的一端接Q₁的发射极和Q₂号的集电极，C_L的另一端作为整个输入缓冲器的输出端，接所述输入缓冲器的输出信号V_out，C_RL的一端接所述输入缓冲器的输入信号V_in，C_RL的另一端接Q₂的发射极和M₂的漏极。