[发明专利]第二代ReBCO高温超导体的接合方法及其接合体

权利要求书

1.一种第二代ReBCO高温超导体的接合方法，其特征在于，包括：

步骤（a），准备作为接合对象的两股第二代ReBCO高温超导体，ReBCO高温超导体分别包括基板、ReBCO（ReBa2Cu3O7-x，在此Re为稀土材料，x为0≤x≤0.6）高温超导层及其它层；

步骤（b），分别在上述第二代ReBCO高温超导体的接合部位钻孔；

步骤（c），分别刻蚀上述第二代ReBCO高温超导体的接合部位来去除铜和/或银层，来在接合部位中露出第二代ReBCO高温超导层；

步骤（d），向接合炉投入第二代ReBCO高温超导体后，以使两个上述第二代ReBCO高温超导层的露出面直接接触或使上述第二代ReBCO高温超导层的两个露出面与第三个第二代ReBCO高温超导体的第二代ReBCO高温超导层的露出面直接接触的方式，排列ReBCO高温超导体；

步骤（e），在大气压的状态下，在上述接合炉对第二代ReBCO高温超导层的露出面的两侧边缘固相压接铜稳定化层和/或银覆盖层，来提高所有第二代ReBCO高温超导体的接合强度；

步骤（f），使上述接合炉真空化，并将上述接合炉加热至ReBCO包晶反应温度以下，来对上述第二代ReBCO高温超导体的ReBCO高温超导层的露出面进行压接，由此进行固相原子扩散；

步骤（g），在氧气氛下，对上述第二代ReBCO高温超导体间的接合区域进行退火处理，来分别向上述第二代ReBCO高温超导体涂层间的ReBCO高温超导层供氧；

步骤（h），在上述第二代ReBCO高温超导体涂层间的接合区域涂敷银，以在接合部位发生过电流时，使上述过电流旁通来防止发生淬灭；以及

步骤（i），利用焊料或环氧树脂来加强第二代ReBCO高温超导体涂层的接合部位。

2.根据权利要求1所述的第二代ReBCO高温超导体的接合方法，其特征在于，上述步骤（b）中，在接合部位钻孔时，以从上述基板贯穿至上述超导层的紧下方或从基板到稳定化层的方式形成孔，各孔的直径为10～100μm，并以1～1000μm的间距排列。

3.根据权利要求1所述的第二代ReBCO高温超导体的接合方法，其特征在于，上述步骤（c）中，刻蚀第二代ReBCO高温超导体时，利用湿式刻蚀或等离子体干式刻蚀来进行刻蚀。

4.根据权利要求1所述的第二代ReBCO高温超导体的接合方法，其特征在于，上述步骤（e）中，进行固相压接时，在400℃以上至ReBCO包晶反应温度以下的接合温度下，对上述高温超导体的接合部位施加0.1～30MPa的压力，来进行固相压接。

5.根据权利要求1所述的第二代ReBCO高温超导体的接合方法，其特征在于，上述步骤（f）中，对第二代ReBCO高温超导体涂层的接合区域进行压接来进行原子扩散时，进行加热时利用外部载荷压缩。

6.根据权利要求1所述的第二代ReBCO高温超导体的接合方法，其特征在于，上述步骤（g）中，对接合区域进行退火处理时，在加压高丰纯氧的气氛及200～700℃的温度范围内向上述接合炉供氧，直到相对于上述第二代ReBCO的稀土类材料1摩尔，氧成为6.4～7摩尔。

7.根据权利要求1所述的第二代ReBCO高温超导体的接合方法，其特征在于，上述步骤（h）中，在上述接合区域以2～40μm的厚度涂敷银，以增强过电流旁通效率。

8.一种第二代ReBCO高温超导体的接合体，其特征在于，一股第二代ReBCO高温超导体的第二代ReBCO高温超导层与另一股第二代ReBCO高温超导体的第二代ReBCO高温超导层相接合，在上述高温超导层间的接合区域的两侧，一股ReBCO高温超导体的ReBCO高温超导层的稳定化层和/或覆盖层也直接接合于另一股ReBCO高温超导体的ReBCO高温超导层的稳定化层和/或覆盖层，来增强第二代ReBCO高温超导体的涂层的接合能力。

9.根据权利要求8所述的第二代ReBCO高温超导体的接合体，其特征在于，上述第二代ReBCO高温超导体包括：

基板；

缓冲层，在上述基板上形成至少一个；

第二代ReBCO高温超导层，形成于上述缓冲层上；

银覆盖层，分别形成于第二代ReBCO高温超导层上及基板上，用于使第二代ReBCO高温超导层电稳定；及

铜稳定化层，形成于各银覆盖层上。

10.根据权利要求8所述的第二代ReBCO高温超导体的接合体，其特征在于，上述第二代ReBCO超导体包括：

基板；

缓冲层，在上述基板上形成至少一个；

第二代ReBCO高温超导层，形成于上述缓冲层上；

银覆盖层，分别形成于第二代ReBCO高温超导层上及基板上，用于使第二代ReBCO高温超导层电稳定。