[发明专利]阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201410122963.9 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN103943635B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 刘蕊;张浩;董学;金亨奎;蔡佩芝;邓立广 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
显示装置中的显示面板包括阵列基板,阵列基板包括显示区域和非显示区域,非显示区域上设置有驱动电路,用于为显示区域上的各个结构提供相应的驱动电压,从而使显示面板显示画面。
为了保护驱动电路以及提升驱动电路的性能,通常显示装置还包括一个电路板,电路板上设置有二极管、电容等元器件,其中,二极管用以保护驱动电路,电容用以实现升压、滤波、去耦等功能。电路板上的元器件通过走线与驱动电路进行连接。
发明人发现,现有技术中,电路板上设置的元器件较多,电路板的尺寸较大,进而使得电路板的制造成本较高,进而使得显示装置的成本增加。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板和显示装置,能够降低显示装置的成本。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种阵列基板,该阵列基板采用如下技术方案:
一种阵列基板,包括非显示区域,所述非显示区域上设置有驱动电路,所述非显示区域上还设置有元器件,所述元器件使用位于所述非显示区域上冗余的膜层形成,所述元器件与所述驱动电路电连接。
所述元器件包括至少一个二极管,所述二极管所在区域包括栅极金属层、有源层和源漏极金属层,所述二极管包括晶体管,所述晶体管包括位于所述栅极金属层的栅极、有源层、位于所述源漏极金属层的源极和漏极,所述源极和所述漏极分别连接所述有源层的两端,所述栅极和所述漏极通过第一过孔电连接,所述栅极和所述漏极作为所述二极管的正极,所述源极作为所述二极管的负极,所述二极管的正极连接所述驱动电路的输出端,所述二极管的负极接地。
所述有源层为低温多晶硅薄膜。
所述元器件包括至少一个电容,所述电容所在区域包括至少两个导电层以及位于所述相邻的导电层之间的绝缘层,所述电容的一个导电层连接至所述驱动电路的输出端,另一个导电层接地。
所述电容所在区域包括依次设置的栅极金属层、第一绝缘层、源漏极金属层、第二绝缘层、公共电极层、第三绝缘层和像素电极层,其中,所述栅极金属层、所述第一绝缘层和所述源漏极金属层形成第一电容,所述源漏极金属层、所述第二绝缘层和所述公共电极层形成第二电容,所述公共电极层、所述第三绝缘层和所述像素电极层形成第三电容。
所述栅极金属层和所述公共电极层通过第二过孔电连接,所述源漏极金属层和所述像素电极层通过第三过孔电连接。
本发明实施例提供了一种如上所述的阵列基板,阵列基板的非显示区域上设置有驱动电路和元器件,该元器件使用位于非显示区域上冗余的膜层形成,并与驱动电路电连接。一方面,元器件位于阵列基板上,减小了电路板的尺寸,从而降低了电路板的成本;另一方面,元器件使用位于非显示区域上冗余的膜层形成,降低了元器件的成本。因此,具有上述结构的阵列基板能够降低显示装置的成本。
本发明实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括如上所述的阵列基板。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中阵列基板的平面示意图;
图2为本发明实施例中的第一种二极管的示意图;
图3为本发明实施例中的第二种二极管的示意图;
图4为本发明实施例中的图2所示的二极管的等效电路图;
图5为本发明实施例中二极管正极电连接驱动电路输出端,二极管负极接地的等效电路图;
图6为本发明实施例中电容所在区域的膜层示意图;
图7为本发明实施例中的图6所示的电容的等效电路图。
附图标记说明:
1—非显示区域;2—驱动电路;3—元器件;
31—二极管; 311—有源层;312—栅极;
313—源极;314—漏极;315—第一过孔;
32—电容; 321—栅极金属层;322—第一绝缘层;
323—源漏极金属层;324—第二绝缘层;325—公共电极层;
326—第三绝缘层;327—像素电极层;328—第二过孔;
329—第三过孔。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的