[发明专利]一种Cu掺杂氧化锆电阻存储器薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种Cu掺杂氧化锆电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：

步骤1，在相对湿度不大于40%RH的手套箱中，将正丁醇锆、乙酰丙酮和无水乙醇混合后搅拌1～2h至溶液澄清，然后密封陈化20～24h得到氧化锆溶胶；将醋酸铜和甲醇混合搅拌2h后滴加丙烯酸搅拌至溶液澄清，得到掺杂所需的Cu离子；然后将氧化锆溶胶和掺杂所需的Cu离子混合，并在真空的手套箱搅拌8h，得到Cu掺杂氧化锆溶胶；

步骤2，在室温下，以Cu掺杂氧化锆溶胶为前驱液，以氧化锡薄膜基片为基板提拉Cu掺杂氧化锆薄膜，再采用浸渍提拉法在氧化锡薄膜电极上制得Cu掺杂氧化锆凝胶薄膜，然后将其放置于空气中自然干燥5～10min；

步骤3，对步骤2得到的Cu掺杂氧化锆凝胶薄膜进行退火处理后在空气中自然冷却，然后将其放入溅射仪中进行顶电极的溅射，即得到Cu掺杂氧化锆电阻存储器薄膜。

2.根据权利要求1所述的Cu掺杂氧化锆电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中正丁醇锆、乙酰丙酮和无水乙醇的摩尔比为1：1：40～45。

3.根据权利要求1所述的Cu掺杂氧化锆电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中醋酸铜、丙烯酸和甲醇的摩尔比为1：1：20～25。

4.根据权利要求1所述的Cu掺杂氧化锆电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中氧化锆溶胶和掺杂所需的Cu离子的摩尔比为1：0.005～0.02。

5.根据权利要求1所述的Cu掺杂氧化锆电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中退火处理的温度为500℃，时间为15～20min。

6.根据权利要求1或5所述的Cu掺杂氧化锆电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中顶电极的溅射的具体操作过程为：将退火处理后的Cu掺杂氧化锆凝胶薄膜放入溅射仪中，将带有周期性的直径为2mm微孔的掩模板固定在溅射仪上，打开开关进行预抽真空，当真空度达到1×10^-3Pa后对Cu掺杂氧化锆凝胶薄膜进行顶电极的溅射，溅射仪中溅射靶材为Cu，溅射时间为10～15min。