[发明专利]光谱传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种光谱传感器的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

工序(a)，在半导体基板上形成受光元件；

工序(b)，在所述工序(a)之后，在所述半导体基板之上形成具有遮光部、多个第一开口及多个第二开口的角度限制滤波器，其中，所述遮光部由多个合金层和多个遮光层构成，所述第一开口及第二开口在俯视观察所述半导体基板时隔着所述遮光部彼此相邻，所述合金层在俯视观察所述半导体基板时被形成为格子状并具有第一开口部和第二开口部且由铝合金层或铜合金层构成，所述遮光层位于所述第一开口部和所述第二开口部上并具有多个开口，所述遮光层由使所述受光元件所要接受的波长的光的反射率低于所述合金层的反射率、且不会使所述受光元件所要接受的波长的光透过的物质构成，所述遮光层所具有的多个开口中的位于所述第一开口部的开口为所述第一开口，且位于所述第二开口部的开口为所述第二开口；

工序(c)，在所述工序(b)之后，在所述角度限制滤波器之上形成具有第一透光膜和第二透光膜的光谱滤波器，其中，所述第一透光膜具有第一膜厚，并且位于在俯视观察所述半导体基板时与所述第一开口重叠的位置处，所述第二透光膜具有与所述第一膜厚不同的第二膜厚，并且位于在俯视观察所述半导体基板时与所述第二开口重叠的位置处,

所述工序(c)包括如下工序：

工序(c1)，通过剥离法而形成所述第一透光膜，所述第一透光膜具有在俯视观察所述半导体基板时与所述遮光部重叠的边缘部；

工序(c2)，在所述工序(c1)之后，通过剥离法而在俯视观察所述半导体基板时远离所述第一透光膜的位置处形成所述第二透光膜，所述第二透光膜具有在俯视观察所述半导体基板时与所述遮光部重叠的边缘部。

2.如权利要求1所述的光谱传感器的制造方法，其特征在于，

在所述工序(c1)中，以如下方式形成所述第一透光膜，所述方式为，使俯视观察所述半导体基板时的、所述第一透光膜的边缘部的位置与所述第一开口的边缘部的位置之间的距离成为，透过所述角度限制滤波器的光相对于所述半导体基板的最大的入射角的正切与所述光谱滤波器的厚度之积以上。

3.一种光谱传感器的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

工序(a)，在半导体基板上形成受光元件；

工序(b)，在所述工序(a)之后，在所述半导体基板之上形成具有遮光部、多个第一开口及多个第二开口的角度限制滤波器，其中，所述遮光部由多个合金层和多个遮光层构成，所述第一开口及第二开口在俯视观察所述半导体基板时隔着所述遮光部彼此相邻，所述合金层在俯视观察所述半导体基板时被形成为格子状并具有第一开口部和第二开口部且由铝合金层或铜合金层构成，所述遮光层位于所述第一开口部和所述第二开口部上并具有多个开口，所述遮光层由使所述受光元件所要接受的波长的光的反射率低于所述合金层的反射率、且不会使所述受光元件所要接受的波长的光透过的物质构成，所述遮光层所具有的多个开口中的位于所述第一开口部的开口为所述第一开口，且位于所述第二开口部的开口为所述第二开口；

工序(c)，在所述工序(b)之后，在所述角度限制滤波器之上形成具有第一透光膜和第二透光膜的光谱滤波器，其中，所述第一透光膜具有第一膜厚，并且位于在俯视观察所述半导体基板时与所述第一开口重叠的位置处，所述第二透光膜具有与所述第一膜厚不同的第二膜厚，并且位于在俯视观察所述半导体基板时与所述第二开口重叠的位置处,

所述工序(c)包括如下工序：

工序(c1)，通过剥离法而形成所述第一透光膜，所述第一透光膜具有在俯视观察所述半导体基板时与所述遮光部重叠的边缘部；

工序(c2)，在所述工序(c1)之后，通过剥离法而在俯视观察所述半导体基板时与所述第一透光膜部分重叠的位置处形成所述第二透光膜，所述第二透光膜具有在俯视观察所述半导体基板时与所述遮光部重叠的边缘部。