[发明专利]一种含钠钼膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种含钠钼膜，其特征在于：该含钠钼膜从上至下依次包括10nm-1um厚的第一纯钼层、10nm-1um厚的含钠钼层、100nm-2um厚的第二纯钼层和基底，其中含钠钼层的Na含量1-20%[at]，Mo含量80-99%[at]，第一纯钼层和第二纯钼层的钼含量均为99.9-99.9999%[at]。

2.如权利要求1所述的一种含钠钼膜，其特征在于：从上至下依次包括100nm厚的第一纯钼层、80nm厚的含钠钼层、800nm厚的第二纯钼层和基底。

3.如权利要求1或2所述的一种含钠钼膜，其特征在于：所述基底的材料为玻璃、PI、不锈钢或陶瓷。

4.一种权利要求1至3中任一权利要求所述的含钠钼膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

（1）用直流磁控溅射法在所述基底上制备所述第一纯钼层；

（2）用直流磁控溅射法在所述第一纯钼层上制备所述含钠钼层；

（3）用直流磁控溅射法在所述含钠钼层上制备所述第二纯钼层。

5.一种权利要求1至3中任一权利要求所述的含钠钼膜在制备铜铟镓硒太阳能电池中的应用。