[发明专利]新型倒装高压芯片外延片

权利要求书

1.一种新型倒装高压芯片外延片，其特征在于：包括多个LED芯片单元，各个LED芯片单元之间设置切割沟槽（11）相隔离，每个所述的LED芯片单元包括一个独立的LED芯片器件，该LED芯片器件包括依次设置的蓝宝石衬底（1）、n-GaN层（2）、多层量子阱层（3）、p-GaN层（4），所述的n-GaN层（2）上形成有n型电极（6），所述的p-GaN层（4）上形成有p型电极（12），外延片的顶部覆盖有绝缘荧光层（7），所述的绝缘荧光层（7）填充于切割沟槽（11）内、仅将用于与外部电连接的n型电极（6）与p型电极（12）露出。

2.根据权利要求1所述的新型倒装高压芯片外延片，其特征在于：所述的p-GaN层（4）与p型电极（12）之间设置有透明电极层（5）。

3.一种新型倒装高压芯片外延片，其特征在于：包括多个LED芯片单元，各个LED芯片单元之间设置切割沟槽（11）相隔离，每个所述的LED芯片单元包括多个互连的LED芯片器件，各个LED芯片器件之间设置隔离沟槽（10）相隔离，每个LED芯片器件包括依次设置的蓝宝石衬底（1）、n-GaN层（2）、多层量子阱层（3）、p-GaN层（4），所述的n-GaN层（2）上形成有n型电极（6），所述的p-GaN层（4）上形成有p型电极（12），各个LED芯片器件之间的n型电极（6）、p型电极（12）以预定连接方式通过互连线路（13）相互连通，外延片的顶部覆盖有绝缘荧光层（7），所述的绝缘荧光层（7）填充于隔离沟槽（10）与切割沟槽（11）内、仅将预留的与外部电连接的n型电极（6）与p型电极（12）露出。

4.根据权利要求3所述的新型倒装高压芯片外延片，其特征在于：所述的p-GaN层（4）与p型电极（12）之间设置有透明电极层（5）。

5.根据权利要求3所述的新型倒装高压芯片外延片，其特征在于：所述的绝缘荧光层（7）覆盖于互连线路（13）上。

6.一种新型倒装高压芯片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1:在蓝宝石衬底（1）上依次制备n-GaN层（2）、多层量子阱层（3）、p-GaN层（4），所述的n-GaN层（2）上形成有n型电极（6），所述的p-GaN层（4）上形成有p型电极（12），通过设置隔离沟槽（10）形成多个独立的LED芯片器件；

S2: 将各个LED芯片器件之间的n型电极（6）、p型电极（12）以预定连接方式通过互连线路（13）相互连通，从而在外延片上形成多个LED芯片单元，各个LED芯片单元之间通过切割沟槽（11）相隔离；

S3: 在外延片的顶部覆盖一层绝缘荧光层（7），所述的绝缘荧光层（7）填充于隔离沟槽（10）与切割沟槽（11）内、仅将预留的与外部电连接的n型电极（6）与p型电极（12）露出；

S4:沿切割沟槽（11）将各个LED芯片单元切割分离。

7.根据权利要求6所述的新型倒装高压芯片的制备方法，其特征在于：在所述的p-GaN层（4）与p型电极（12）之间设置透明电极层（5）。

8.根据权利要求6所述的新型倒装高压芯片的制备方法，其特征在于：所述的绝缘荧光层（7）由绝缘材料和荧光材料制备而成。

9.根据权利要求8所述的新型倒装高压芯片的制备方法，其特征在于：所述的绝缘荧光层（7）由绝缘材料和荧光材料通过溶胶-凝胶工艺制备而成。

10.根据权利要求8所述的新型倒装高压芯片的制备方法，其特征在于：所述的绝缘材料包括SiO2。