[发明专利]一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺

权利要求书

1.一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺，所述工艺于铸锭炉中进行，包括原料装料步骤，其特征在于：

所述原料装料步骤：在坩埚底部均匀铺设若干块状高硼硅料，铺设面积为坩埚底面积的1/5～1/3，厚度为3～10mm，其上放置普通硅料与硅硼合金原料，且将硅硼合金原料按照自坩埚底部向上含量依次减少的分布规律置于坩埚中。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述工艺包括原料熔化步骤：向铸锭炉中通入氩气，炉内气体压强为40～60kPa；于2h～3h内使坩埚内温度升至1550～1560℃，并在1550～1560℃保温10～12h，直到硅料熔化至坩埚底部剩余固体原料的高度为1～2cm，且在上述过程中保持坩埚底部温度为1370℃～1390℃。

3.根据权利要求1或2所述的工艺，其特征在于：所述工艺包括铸锭预加热步骤：将装有原料的坩埚放入所用铸锭炉后，抽真空至0.5～1Pa，加热使坩埚内温度在4～6h内升温至1175℃。

4.根据权利要求1或2所述的工艺，其特征在于：所述工艺包括多晶硅生长步骤：将坩埚内温度从1550～1560℃经1～2h降低到1425～1430℃开始长晶，在长晶的过程中温度在22～24h内会由1425～1430℃降低到1410～1415℃，完成长晶过程；整个长晶过程炉内气体压强为50～70kPa。

5.根据权利要求1或2所述的工艺，其特征在于：所述工艺包括退火步骤：将多晶硅生长步骤所得晶锭于气体压强为50～70KPa、温度为1330～1380℃下保温3～4h。

6.根据权利要求1或2所述的工艺，其特征在于：所述工艺包括冷却步骤：将退火步骤所得晶锭于气体压强为90～100KPa，自然冷却至300～400℃。