[发明专利]用于基于铜的金属层的蚀刻组合物和制备金属线的方法

权利要求书

1.一种用于基于铜的金属层的蚀刻剂组合物，包括：0.5重量%至20重量%的过硫酸盐、0.1重量%至5重量%的唑化合物、和余量的水。

2.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述过硫酸盐是选自过硫酸钾（K₂S₂O₈）、过硫酸钠（Na₂S₂O₈）和过硫酸铵（(NH₄)₂S₂O₈）中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述唑化合物是选自三唑化合物、氨基四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯烷化合物和吡咯啉化合物中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，还包括：1重量%至5重量%的有机（过氧）酸或其盐。

5.根据权利要求4所述的蚀刻剂组合物，其中，所述有机（过氧）酸是选自过氧乙酸、过氧苯甲酸、乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、羟基乙酸、丙二酸、戊酸和草酸中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的蚀刻剂组合物，其中，所述有机（过氧）酸的盐是选自有机（过氧）酸的钾盐、有机（过氧）酸的钠盐和有机（过氧）酸的铵盐中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，还包括3重量%至15重量%的膦酸酯化合物。

8.根据权利要求7所述的蚀刻剂组合物，其中，所述膦酸酯化合物是选自磷酸、2-氨基乙基膦酸、甲基膦酸二甲酯、1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸、氨基三（亚甲基膦酸）、乙二胺四（亚甲基膦酸）、四亚甲基二胺四（亚甲基膦酸）、六亚甲基二胺四（亚甲基膦酸）、二亚乙基三胺五（亚甲基膦酸）、膦酸丁烷-三羧酸、N-（膦酰基甲基）亚氨基二乙酸、2-羧乙基膦酸、2-羟基膦酰基羧酸和氨基-三-（亚甲基膦酸）中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的蚀刻剂组合物，其中，所述膦酸酯化合物是选自膦酸酯化合物的钾盐、膦酸酯化合物的钠盐和膦酸酯化合物的铵盐中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，还包括：0.5重量%至3重量%的无机酸或其盐，其中，过硫酸盐除外。

11.根据权利要求10所述的蚀刻剂组合物，其中，所述无机酸是选自硝酸、硫酸、磷酸、硼酸和高氯酸中的至少一种。

12.根据权利要求10所述的蚀刻剂组合物，其中，所述无机酸的盐是选自无机酸的钾盐、无机酸的钠盐和无机酸的铵盐中的至少一种，其中，过硫酸盐除外。

13.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，还包括0.5重量%至5重量%的磺酸或其盐。

14.根据权利要求13所述的蚀刻剂组合物，其中，所述磺酸是选自氨基磺酸、甲基磺酸、乙基磺酸、对甲苯磺酸、三氟甲磺酸、苯磺酸、氨基磺酸和聚苯乙烯磺酸中的至少一种。

15.根据权利要求13所述的蚀刻剂组合物，其中，所述磺酸的盐是选自钾盐、钠盐和铵盐中的至少一种。

16.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，还包括0.5重量%至3重量%的铜盐，其中，过硫酸盐除外。

17.根据权利要求16所述的蚀刻剂组合物，其中，所述铜盐是选自硫酸铜、硝酸铜、氯化铜、乙酸铜和氟化铜中的至少一种。

18.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，形成所述基于铜的金属层，所述基于铜的金属层包括：选自铜、氮化铜、和氧化铜中的至少一种；或者包括选自铜、氮化铜、和氧化铜中的至少一种与选自铝（Al）、镁（Mg）、钙（Ca）、钛（Ti）、银（Ag）、铬（Cr）、锰（Mn）、铁（Fe）、锆（Zr）、铌（Nb）、钼（Mo）、钯（Pd）、铪（Hf）、钽（Ta）和钨（W）中的至少一种金属的合金。

19.根据权利要求18所述的蚀刻剂组合物，其中，所述基于铜的金属层包括：铜钼层，所述铜钼层具有钼层和在所述钼层上形成的基于铜的金属层；或者铜钼合金层，所述铜钼合金层具有钼合金层和在所述钼合金层上形成的基于铜的金属层。