[发明专利]一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺

权利要求书

1.一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺，包括多晶硅生长步骤，其特征在于：所述多晶硅生长步骤包括七个多晶硅生长阶段，每个生长阶段的时间为3～4h，各个阶段的生长速率依次为1.3cm/h、1.2cm/h、1.1cm/h、1.0cm/h、0.9cm/h、0.8cm/h、0.7cm/h。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述工艺于铸锭炉中进行，所述多晶硅生长步骤中炉内气体压强为50～70KPa。

3.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于：所述工艺包括原料熔化步骤：炉内气体压强为40～60kPa，在坩埚内原料温度为1550～1560℃下保温，直到原料完全熔化。

4.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于：所述工艺包括退火步骤：将多晶硅生长步骤所得晶锭于气体压强为50～70KPa、温度为1300～1370℃下保温4～5h。

5.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于：所述工艺包括冷却步骤：将退火步骤所得晶锭于气体压强为90～100KPa，自然冷却至300～400℃。

6.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于：所述工艺包括铸锭预加热步骤：将装有原料的坩埚放入所用铸锭炉后，抽真空至0.5～1Pa，加热使坩埚内原料的温度在5～8h内升温至1550～1560℃。