[发明专利]一种太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410123832.2 申请日: 2014-03-28
公开(公告)号: CN104947054A 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 张敏;王轩;尹万里;雷柏松;孙守建 申请(专利权)人: 北京桑达太阳能技术有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/54
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 孟宪功
地址: 100088*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳 光谱 选择性 吸收 涂层 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:

S1:选择基体(1),将所述镀膜室内进行抽真空处理,且将镀膜室内设置为初始真空度;

S2:向所述镀膜室内通入惰性气体和第一反应气体,且将所述镀膜室内设置为第一压强,通过孪生靶反应溅射在所述基体(1)外制备粘结层(21);

S3:停止通入所述第一反应气体,关闭所述孪生靶,将所述镀膜室内设置为第二压强,通过第一金属靶溅射在所述粘结层(21)外制备红外反射层(2);

S4:关闭所述第一金属靶,并打开所述孪生靶,向所述镀膜室内通入所述第一反应气体,且将所述镀膜室内设置为第一压强,通过所述孪生靶反应溅射在所述红外反射层(2)外制备扩散阻挡层(22);

S5:开启第二金属靶,通过所述第二金属靶溅射沉积金属层(5),通过所述孪生靶反应溅射沉积介质层(6),所述金属层(5)和介质层(6)间隔设置形成吸收层(3);

S6:关闭所述第二金属靶,向所述镀膜室通入第二反应气体,将所述镀膜室内设置为第三压强,通过孪生靶反应溅射在所述吸收层(3)外制备减反射层(4);

S7:观察所述减反射层(4)在制备过程中的膜层颜色,当所述膜层颜色由黄变红,最后变蓝时关闭所述孪生靶,且分别关闭所述惰性气体、第一反应气体和第二反应气体,结束镀膜。

2.根据权利要求1所述的太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,其特征在于,所述S5中的吸收层(3)包括第一吸收亚层(31)和第二吸收亚层(32),所述第一吸收亚层(31)和第二吸收亚层(32)分别包括多个次亚层,所述每个次亚层均包括一层所述金属层(5)和一层所述介质层(6)。

3.根据权利要求2所述的太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,其特征在于,所述第一吸收亚层(31)的金属含量大于所述第二吸收亚层(32)的金属含量。

4.根据权利要求2所述的太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,其特征在于,所述第二金属靶的数量为一个,其材质为单一金属或合金。

5.根据权利要求2所述的太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,其特征在于,所述第二金属靶的数量为多个,所述每个第二金属靶的材质均为单一金属或合金,所述金属层(5)由多个金属子层构成,所述多个金属子层分别通过多个所述第二金属靶溅射沉积制备而成。

6.根据权利要求5所述的太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,其特征在于,所述第一金属靶和第二金属靶均通过直流磁控溅射沉积粒子,所述第一金属靶的靶材为铜、铝、金或银,所述第二金属靶的靶材为不锈钢、钼、镍、镍铬合金中的一种或两种的合金;所述孪生靶通过中频反应溅射并沉积粒子,其靶材为铝或硅。

7.根据权利要求6所述的太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,其特征在于,

所述基体(1)的形状为片状或管状,其材质为玻璃、硅或不锈钢;

所述粘结层(21)的厚度为10~40nm,其材质为金属、陶瓷或金属陶瓷复合材料;

所述红外反射层(2)的厚度为80~300nm,其材质为铝、铜、金或银;

所述扩散阻挡层(22)的厚度为10~40nm,其材质为金属、陶瓷或金属陶瓷复合材料;

所述吸收层(3)的厚度为60~300nm,其中,所述第一吸收亚层(31)的厚度为30-150nm,所述第二吸收亚层(32)的厚度为30-150nm,所述金属层(5)的厚度小于5nm,所述金属层(5)的材质为不锈钢、钼、镍、镍铬合金或以上四种金属中的一种或两种的合金,所述介质层(6)的材质为氧化铝或氮化铝;

所述减反射层(4)的厚度为50~100nm,其材质为氮化铝、氧化铝、氮氧化铝、二氧化硅或氮化硅。

8.根据权利要求1-7任一项所述的太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,其特征在于,

所述初始真空度为低于5×10-3Pa;

所述第一压强为0.3~0.4Pa;

所述第二压强0.2~0.3Pa;

所述第三压强为0.4~0.5Pa,且所述第一反应气体和惰性气体的比例设置为2:1~8:1。

9.根据权利要求1-7任一项所述的太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,其特征在于,所述惰性气体为氩气。

10.根据权利要求1-7任一项所述的太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,其特征在于,所述第一反应气体为氮气或氧气,所述第二反应气体为氧气或氮气。

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