[发明专利]一种OLED显示器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410123863.8 申请日: 2014-03-28
公开(公告)号: CN103943787A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 张鹏 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 oled 显示器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种OLED显示器,包括多个子像素单元,每个所述子像素单元均包括依次设置在衬底基板上的第一电极、有机材料功能层、第二电极;其特征在于,所述子像素单元还包括:设置在所述衬底基板和所述第一电极之间的平坦层;

其中,所述平坦层与所述第一电极对应部分且远离所述衬底基板一侧的表面具有凹陷的弧形形状;

所述第一电极包括不透明金属层,所述第二电极为半透明金属电极。

2.根据权利要求1所述的OLED显示器,其特征在于,所述平坦层的厚度为2μm~5μm。

3.根据权利要求1所述的OLED显示器,其特征在于,所述平坦层的材料包括聚酰亚胺胶。

4.根据权利要求1所述的OLED显示器,其特征在于,所述第一电极包括不透明金属层和设置在所述不透明金属层两层的氧化铟锡层。

5.根据权利要求1至4任一项所述的OLED显示器,其特征在于,所述子像素单元还包括设置在所述衬底基板和所述平坦层之间的薄膜晶体管。

6.根据权利要求5所述的OLED显示器,其特征在于,所述第一电极通过设置在所述平坦层上的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

7.根据权利要求5所述的OLED显示器,其特征在于,所述OLED显示器还包括设置在所述衬底基板和所述薄膜晶体管之间的缓冲层,所述缓冲层与所述衬底基板接触。

8.一种OLED显示器的制备方法,所述OLED显示器包括多个子像素单元;其特征在于,所述方法包括:

在衬底基板上形成平坦层;其中,在每个所述子像素单元中对应第一电极的区域,所述平坦层远离所述衬底基板一侧的表面具有凹陷的弧形形状;

在形成有所述平坦层的基板上,在每个所述子像素单元的区域,依次形成所述第一电极、有机材料功能层、第二电极;

其中,所述第一电极包括不透明金属层,所述第二电极为半透明金属电极。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成平坦层包括:

在所述衬底基板上形成平坦层薄膜;

利用图形化的掩模板的遮蔽作用,对未被所述掩模板完全遮挡的所述平坦层薄膜进行干法刻蚀,形成表面具有凹陷的弧形形状的所述平坦层;

其中,所述掩模板的开口与所述子像素单元的预定区域对应,且所述开口的靠近所述平坦层薄膜一侧的面积大于远离所述平坦层薄膜一侧的面积。

10.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,在每个所述子像素单元中,还形成位于所述衬底基板和所述平坦层之间的薄膜晶体管。

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