[发明专利]像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一基板；

一薄膜晶体管元件，设置于该基板上，该薄膜晶体管元件包括：

一第一连接电极与一第二连接电极，设置于该基板上；

一氧化物半导体通道层，设置于该基板上，其中该氧化物半导体通道层的两侧分别部分覆盖该第一连接电极的一上表面与该第二连接电极的一上表面；

一栅极绝缘层，设置于该基板上并覆盖该氧化物半导体通道层、该第一连接电极与该第二连接电极；

一栅极，设置于该栅极绝缘层上；

一介电层，设置于该栅极与该栅极绝缘层上，其中该栅极绝缘层与该介电层具有一第一接触洞至少部分暴露出该第一连接电极的该上表面，以及一第二接触洞至少部分暴露出该第二连接电极的该上表面；以及

一源极与一漏极，设置于该介电层上，其中该源极经由该第一接触洞与该第一连接电极电性连接，且该漏极经由该第二接触洞与该第二连接电极电性连接；

一第一保护层，设置于该介电层上，其中该第一保护层具有一第三接触洞，至少部分暴露出该漏极；以及

一第一像素电极，设置于该第一保护层上，其中该第一像素电极经由该第三接触洞与该薄膜晶体管元件的该漏极电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一连接电极与该第二连接电极包括金属电极。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一连接电极与该第二连接电极包括金属氧化物导电电极。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该薄膜晶体管元件另包括一保护图案，设置于该氧化物半导体通道层与该栅极绝缘层之间。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包括：

一显示介质层，设置于该第一像素电极上；以及

一第二像素电极，设置于该显示介质层上。

6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该显示介质层为一有机电激发光层。

7.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，另包括一第二保护层，设置于该第一保护层上，其中该第二保护层具有一开口，至少部分暴露出该第一像素电极，且该显示介质层是设置于该第二保护层的该开口内。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，另包括一储存电容元件，其中该储存电容元件包括：

一储存电容下电极，设置于该基板上；以及

一储存电容上电极，设置于该栅极绝缘层上。

9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该储存电容下电极、该第一连接电极与该第二连接电极是由同一层图案化导电层所构成，且该储存电容上电极与该栅极是由同一层图案化导电层所构成。

10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，另包括一第一保护薄膜，设置于该介电层与该第一保护层之间。

11.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，另包括一第二保护薄膜，设置于该基板与该第一连接电极之间，以及该基板与该第二连接电极之间。