[发明专利]封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具有侧边散热设计的扇出封装结构，包括：

一半导体基板；

一焊垫位于所述半导体基板上；以及

一重分布线路层位于所述焊垫上方，且该重分布线路层包含第一部分、第二部分以及阻断所述第一部分及所述第二部分之间电性连接的开口，

其中所述第一部分与所述焊垫电性连接，所述第二部分作为虚设重分布部分向所述半导体基板的一侧壁延伸，且所述第二部分与所述侧壁切齐。

2.根据权利要求1的结构，其中所述侧壁为一粗糙化表面。

3.根据权利要求1的结构，其中所述半导体基板的背面为一粗糙化表面。

4.根据权利要求1的结构，其中所述重分布线路层位于所述半导体基板外围。

5.一种具散热图案的封装结构包含：

一半导体基板；

一焊垫位于所述半导体基板上；

一散热图案位于所述半导体基板上方；以及

一介电层与所述散热图案连接，其中所述散热图案由连接于所述焊垫并位于所述半导体基板的外围的一重分布线路层所组成，其中所述重分布线路层包含一上表面，所述上表面靠近所述重分布线路层一侧壁的部分暴露于外界空气中，并且所述重分布线路层的所述侧壁切齐所述半导体基板的一侧壁。

6.根据权利要求5的结构，其中所述散热图案为一围绕半导体基板外围的环状结构。

7.一种具有侧边散热设计的扇出封装结构的制造方法，其步骤包含：

提供一半导体基板具有一焊垫位于所述半导体基板的一正面的上方；

形成一第一介电层位于所述半导体基板的所述正面上方；以及

形成一重分布线路层连接于所述焊垫并覆盖所述第一介电层及所述半导体基板的外围，使所述重分布线路层与所述半导体基板的一侧壁切齐，其中所述重分布线路层包含一上表面，所述上表面靠近所述重分布线路层一侧壁的部分暴露于外界空气中。

8.根据权利要求7的方法，进一步包含附着一保护层于所述半导体基板的所述正面及所述重分布线路层上仅露出所述半导体基板的一背面及所述侧壁。

9.根据权利要求8的方法，进一步包含沉浸所述半导体基板的所述背面及所述侧壁于蚀刻液中，并且湿式微蚀刻所述半导体基板的所述侧壁及所述背面。

10.根据权利要求8的方法，进一步包含形成一保护层在所述半导体基板的所述背面。

11.根据权利要求10的方法，进一步包含沉浸所述半导体基板于蚀刻液中，并且湿式微蚀刻所述半导体基板的所述侧壁。

12.根据权利要求9或11的方法，进一步包含无电极电镀所述半导体基板的所述侧壁及/或所述背面。