[发明专利]一种制备二硅化钽涂层的方法

权利要求书

1.一种通过等离子体喷涂技术制备二硅化钽涂层的方法，其特征在于，所述方法包括：采用粒径范围为10～120微米，纯度大于95 wt%的二硅化钽粉，运用真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺将二硅化钽粉喷涂于预处理的耐高温基体材料表面，即得二硅化钽涂层，所述等离子体喷涂工艺的参数为：等离子体气体Ar：30-50slpm；等离子体气体H₂：8-18slpm；粉末载气Ar：1.5-5slpm；喷涂距离：100-350 mm；喷涂功率：30-58 kW；送粉速率：8-30 g·min^-1；喷涂压力：100-800mbar。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二硅化钽粉在100～120℃烘干1～3小时再用于喷涂。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述高温基材为不锈钢、高温合金、碳材料。

4.根据权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于，所述基体材料的表面预处理为喷砂或砂纸打磨处理。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述喷砂压强为0.1～3MPa。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述真空等离子喷涂工艺或低压等离子喷涂工艺中，二硅化钽涂层的制备是在惰性气体保护气氛下完成的，采用惰性气体为Ar或N₂气。