[发明专利]一种WOLED背板及其制作方法有效
申请号: | 201410126074.X | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN103915580A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 方婧斐;姜春生;李延钊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 woled 背板 及其 制作方法 | ||
1.一种WOLED背板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成底层薄膜晶体管的图案;
在所述底层薄膜晶体管上形成钝化层的图案;
在所述钝化层表面形成彩膜层的图案;
利用半色调曝光对所述彩膜层的图案进行曝光,在彩膜层图案中形成凹槽结构;
在形成有凹槽结构的基板表面形成树脂材料层图案,并在树脂材料层的部分区域上进行重掺杂,使得重掺杂部分具有导电性;所述树脂材料层进行重掺杂的部分区域对应像素电极区域、过孔区域以及像素电极区域和过孔区域的连通区域;
在对树脂材料层的部分区域进行重掺杂后的基板表面依次形成有机发光层和阴极。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用半色调曝光对所述彩膜层的图案进行曝光,在彩膜层图案中形成凹槽结构的步骤中,所述凹槽结构形成在彩膜层图案的中间部位。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用半色调曝光对所述彩膜层进行曝光具体包括:
通过半色调掩膜板对形成凹槽结构的部位进行半曝光,并对其他区域进行完全曝光。
4.如权利要求1-3任一所述的方法,其特征在于,所述彩膜层采用正性光刻胶材料。
5.如权利要求1-3任一所述的方法,其特征在于,所述在树脂材料层的部分区域上进行重掺杂具体包括:
在所述树脂材料层的部分区域进行离子注入;
对所述进行了离子注入后的树脂材料层进行固化处理。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述离子注入的离子源包括金属元素、磷烷或硼烷。
7.如权利要求1-3任一所述的方法,其特征在于,所述彩膜层的厚度为4.0~5μm。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述彩膜层的厚度为4.5μm。
9.一种WOLED背板,其包括:基板、TFT器件、钝化层、彩膜层、树脂层、有机发光层和阴极,所述钝化层覆盖整个TFT器件,其上设置有过孔,位于TFT器件漏极所在位置;所述彩膜层位于钝化层上,其覆盖各个像素电极区域;其特征在于,所述覆盖每个像素电极区域的彩膜层图案上具有凹槽结构;所述树脂材料层覆盖钝化层和彩膜层,且部分区域为经过重掺杂的导电区域,所述部分区域对应像素电极区域、过孔区域以及像素电极区域和过孔区域的连通区域上的树脂材料层;有机发光层和阴极依次设置在树脂材料层上。
10.如权利要求9所述的背板,其特征在于,所述凹槽结构位于彩膜层各图案的中间部位。
11.如权利要求9或10所述的背板,其特征在于,所述彩膜层采用正性光刻胶材料。
12.如权利要求9或10所述的背板,其特征在于,所述导电区域是通过对所述树脂材料层的部分区域进行离子注入而形成,所述离子注入的离子源包括金属元素、磷烷或硼烷。
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