[发明专利]一种裸眼3D功能面板的制造方法有效
申请号: | 201410126416.8 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN103943565A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 郭会斌;王守坤;刘晓伟;冯玉春;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768;G03F7/42 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 裸眼 功能 面板 制造 方法 | ||
1.一种裸眼3D功能面板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
通过一次构图工艺,在形成有信号线金属层的基板上形成第一信号线和第二信号线;
通过一次构图工艺,在形成有所述第一信号线和所述第二信号线的基板上形成钝化层,与所述第一信号线对应的第一钝化层过孔和与所述第二信号线对应的第二钝化层过孔;
在形成有所述钝化层的基板上形成第一透明电极和第二透明电极,所述第一透明电极与所述第二透明电极间隔设置,所述第一透明电极通过所述第一钝化层过孔与所述第一信号线连接,所述第二透明电极通过所述第二钝化层过孔与所述第二信号线连接。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述通过一次构图工艺,在形成有所述第一信号线和所述第二信号线的基板上形成钝化层,与所述第一信号线对应的第一钝化层过孔和与所述第二信号线对应的第二钝化层过孔包括:
在形成有所述第一信号线和所述第二信号线的基板上沉积所述钝化层;
在所述钝化层上沉积光刻胶;
通过第一掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影之后,形成光刻胶半保留部分、光刻胶完全保留部分和光刻胶完全去除部分,所述光刻胶完全去除部分与所述第一钝化层过孔和所述第二钝化层过孔对应,所述光刻胶半保留部分覆盖需要形成所述第一透明电极和所述第二透明电极的位置,光刻胶完全保留部分覆盖除去光刻胶完全去除部分与光刻胶半保留部分之外的其他区域,所述光刻胶半保留部分的厚度小于所述光刻胶完全保留部分的厚度;
刻蚀所述光刻胶完全去除部分对应的钝化层,形成所述第一钝化层过孔和第二钝化层过孔。
3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述刻蚀所述光刻胶完全去除部分对应的钝化层包括:
通过干刻工艺,刻蚀所述光刻胶完全去除部分对应的钝化层。
4.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述光刻胶半保留部分的厚度为0.6μm~1.2μm,所述光刻胶完全保留部分的厚度为2μm~3μm。
5.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述在形成有所述钝化层的基板上形成第一透明电极和第二透明电极包括:
去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶;
在去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶之后的基板上沉积透明导电薄膜;
通过剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶,使得所述光刻胶完全保留部分的光刻胶和所述光刻胶完全保留部分上覆盖的透明导电薄膜同时被剥离,形成第一透明电极和所述第二透明电极,所述第一透明电极与所述第一信号线通过所述第一钝化层过孔相连,所述第二透明电极与所述第二信号线通过所述第二钝化层过孔相连。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶包括:
通过灰化工艺,去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶。
7.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述在去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶之后的基板上沉积透明导电薄膜包括:
通过低温沉积的技术,在去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶之后的基板上沉积所述透明导电薄膜。
8.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述通过一次构图工艺,在形成有信号线金属层的基板上形成第一信号线和第二信号线包括:
在所述信号线金属层上沉积光刻胶;
通过第二掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影之后,形成第一光刻胶层,所述第一光刻胶层的图形为所述第一信号线和所述第二信号线所需的图形;
刻蚀未被所述第一光刻胶层覆盖的所述信号线金属层;
去除所述第一光刻胶层,形成所述第一信号线和所述第二信号线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造