[发明专利]用于生产蓝宝石图形衬底的分选方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体光电芯片制造领域。

背景技术

在蓝宝石图形化衬底领域，生产厂家通常会通过3D显微镜或者人工目检的方式来对生产出的蓝宝石衬底进行尺寸方面的分选。但是，3D显微镜的单片扫描时间过长，不能满足大批量的连续生产；而人工目检又容易因为人的个体差异而引起分选标准不一的情况。

发明内容

本发明旨在提供一种方法来解决大批量蓝宝石图形化衬底生产中存在的尺寸分选问题。

为了达到上述目的，本发明提供的一种用于生产蓝宝石图形衬底的分选方法，包括如下步骤：

S1：调整光致发光设备的参数，对蓝宝石图形衬底外延层进行光激励测试，由外延层图形化表面的微观结构所反射回的光进行反射率测算；

S2：对所述的微观结构的尺寸测量得到尺寸值；

S3：建立反射率与尺寸值间的对应关系；

S4：将待分选晶圆整批导入到光致发光设备中令设备自动运行；

S5：将微观结构的反射率实时通过对应关系输出为尺寸值，并依据结果进行晶圆分选。

本发明通过使用光致发光设备(PL)来进行批量化蓝宝石图形化衬底生产的分选工作。光致发光设备目前主要用于外延生产厂家，主要目的是，通过对外延层进行光激励来识别判断外延生长质量是否符合设计目标。但该设备中还有一项功能，即反射率的测试。蓝宝石图形化表面的微观结构的尺寸差异会相应得体现在反射率的数据上。因此，不同微观尺寸的衬底可以通过反射率数据来进行区分。并且，由于很多PL设备属于自动机台，所以，适用于大规模批量生产。

作为进一步的改进，所述的步骤S1、S2中随机选取多个位置进行反射率与尺寸值的测量。

作为进一步的改进，所述的步骤S1、S2中针对同一位置多次测量后取平均值。

作为进一步的改进，所述的步骤S1中根据外延层图形化表面的微观结构的尺寸与类型调整光致发光设备的光激励强度与时间。

作为进一步的改进，所述的步骤S2中，通过3D光学显微镜或SEM设备对微观结构的尺寸测量。

作为进一步的改进，所述的步骤S5包括设定尺寸值的阈值的步骤，当检测到超出阈值范围的尺寸值时，输出提示信号并记录位置信息。

由于采用了以上技术方案，使得在蓝宝石图形化衬底领域可以将图形化结构的检测步骤得以简化，提高了生产效率，降低了生产成本，易于实现大规模批量生产。

附图说明

图1为根据本发明的用于生产蓝宝石图形衬底的分选方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

参见附图1所示，为根据本发明的用于生产蓝宝石图形衬底的分选方法的流程图。该方法包括如下步骤：

S1：调整光致发光设备的参数，对蓝宝石图形衬底外延层进行光激励测试，由外延层图形化表面的微观结构所反射回的光进行反射率测算；

S2：通过3D光学显微镜或SEM设备对微观结构的尺寸测量得到尺寸值；

S3：建立反射率与尺寸值间的对应关系；

S4：将待分选晶圆整批导入到光致发光设备中令设备自动运行；

S5：将微观结构的反射率实时通过对应关系输出为尺寸值，并依据结果进行晶圆分选。

为了尽可能的减小测量过程所带来的误差，步骤S1、S2中随机选取多个位置进行反射率与尺寸值的测量；另外，步骤S1、S2中针对同一位置多次测量后取平均值。

需要说明的是，步骤S1中根据外延层图形化表面的微观结构的尺寸与类型调整光致发光设备的光激励强度与时间。本发明通过使用光致发光设备(PL)来进行批量化蓝宝石图形化衬底生产的分选工作。光致发光设备目前主要用于外延生产厂家，主要目的是，通过对外延层进行光激励来识别判断外延生长质量是否符合设计目标。但该设备中还有一项功能，即反射率的测试。蓝宝石图形化表面的微观结构的尺寸差异会相应得体现在反射率的数据上。因此，不同微观尺寸的衬底可以通过反射率数据来进行区分。并且，由于很多PL设备属于自动机台，所以，适用于大规模批量生产。

作为进一步的改进，步骤S5包括设定尺寸值的阈值的步骤，当检测到超出阈值范围的尺寸值时，输出提示信号并记录位置信息，使得在蓝宝石图形化衬底领域可以将图形化结构的检测步骤得以简化，提高了生产效率，降低了生产成本，易于实现大规模批量生产。

以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。