[发明专利]等离子体刻蚀装置的腔体清洗方法

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀装置的腔体清洗方法，所述等离子体刻蚀装置包括反应腔体、进气单元和抽气单元，所述腔体清洗方法包括：

步骤1：通入第一工艺气体冲洗所述进气单元，使所述进气单元内壁至少部分的反应副产物剥落；

步骤2：通入第二工艺气体并形成所述第二工艺气体的等离子体，使所述第二工艺气体的等离子体与所述剥落的反应副产物及所述反应腔体内壁的反应副产物反应以清洗所述反应腔体的内壁；以及

步骤3：增加所述第二工艺气体的压力，使所述第二工艺气体的等离子体与所述进气单元内未剥落的所述反应副产物反应以清洗所述进气单元的内壁。

2.根据权利要求1所述的腔体清洗方法，其特征在于，所述反应副产物为SiO_xCl_y，所述第二工艺气体为NF₃。

3.根据权利要求1所述的腔体清洗方法，其特征在于，所述第一工艺气体的气体流量大于所述第二工艺气体的气体流量。

4.根据权利要求1所述的腔体清洗方法，其特征在于，步骤1中通入所述第一工艺气体冲洗所述进气单元的次数大于等于5次。

5.根据权利要求3所述的腔体清洗方法，其特征在于，所述第一工艺气体的压力小于步骤2中所述第二工艺气体的压力，气体流量为大于等于500sccm；步骤2中所述第二工艺气体的压力为小于等于10mT，气体流量为小于等于50sccm。

6.根据权利要求5所述的腔体清洗方法，其特征在于，步骤3中所述第二工艺气体的压力为大于等于60mT，气体流量为小于等于50sccm。

7.根据权利要求2所述的腔体清洗方法，其特征在于，还包括通入氧气并将其电离形成等离子体，以清洗所述反应腔体内的含碳副产物的步骤。

8.根据权利要求2所述的腔体清洗方法，其特征在于，还包括通过化学气相沉积在所述腔体内壁上生长一层SiO_xCl_y的步骤。

9.根据权利要求1所述的腔体清洗方法，其特征在于，所述进气单元设置于所述反应腔体顶部且位于待刻蚀晶圆的正上方。

10.根据权利要求1～9任一项所述的腔体清洗方法，其特征在于，所述抽气单元通过调节阀与所述反应腔体相连，所述清洗方法的各步骤中通过控制所述调节阀的开度以调节所述反应腔体内的气压。