[发明专利]具有积累效应的场效应晶体管及其生产方法

权利要求书

1.具有积累效应的场效应晶体管的生产方法，其特征是包括如下步骤：

（1）对晶体预扩散，使得下部浓度相对高的衬底层向上部浓度相对低的外延层扩散，并在衬底层和外延层之间形成n+层；

（2）在晶体上制作沟槽，并在晶体的沟槽内生长二氧化硅氧化层；

（3）在晶体的沟槽中沉积金属或多晶硅作为良导体；

（4）刻蚀晶体表面的氧化层；

（5）对晶体注入硼离子并进行扩散推结，在外延层上部的沟槽外侧部分形成P-Body区域；

（6）对晶体注入磷离子并进行扩散推结，在P-Body区域的上方形成N+源区域；

（7）在晶体的上表面沉积BPSG硼磷硅玻璃以保护栅极；

（8）在晶体的上部光刻出接触孔；

（9）在接触孔的底部注入硼离子，形成P+区域；

（10）在接触孔中填充金属塞；

（11）对晶体上表面进行金属化操作，在晶体的上表面镀上铝或铝硅铜等金属薄膜；

（12）对晶体背面进行减薄和背面金属化操作，在晶体的背面制作出漏极。

2.根据权利要求1所述具有积累效应的场效应晶体管的生产方法，其特征是，上述步骤（2）具体为：

（2.1）在所得晶体的上光刻沟槽图形；

（2.1.1）根据沟槽图形在晶体上蚀刻出沟槽；

（2.1.2）在沟槽底部注入硼离子，形成硼离子区；

（2.2）在沟槽底部、沟槽侧壁和晶体上表面生长二氧化硅氧化层。

3.根据权利要求2所述具有积累效应的场效应晶体管的生产方法，其特征是，上述步骤（2.1）中，采用负光刻方式或正光刻方式蚀刻出沟槽。

4.根据权利要求2所述具有积累效应的场效应晶体管的生产方法，其特征是，上述步骤（2.2）中，沟槽底部生长的氧化层的厚度厚于沟槽侧壁和晶体上表面生长的氧化层的厚度。

5.采用权利要求1所述生产方法所获得的具有积累效应的场效应晶体管，包括场效应晶体管本体，其特征是，所述场效应晶体管本体主要由衬底层、n+层、外延层、硼离子区、氧化层、良导体、P-body区域、源区N+、P+区、金属塞、硼磷硅玻璃、金属薄膜和背金金属层组成；其中n+层位于衬底层的上方，外延层位于n+层的上方；外延层内开设有从外延层上部垂直延伸到外延层下部的沟槽，硼离子区设置在沟槽的底部外侧，氧化层附着在沟槽内侧的侧壁和底部上，良导体填充在附有氧化层的沟槽内；P-body区域置于外延层上方、沟槽的外侧；源区N+置于P-body区域的上方、沟槽的外侧；源区N+内开设有从源区N+上部垂直延伸到源区N+下部的接触孔，P+区设置在接触孔的底部外侧，在接触孔内填充金属塞；硼磷硅玻璃覆盖在源区N+和良导体的正上方；金属薄膜覆盖在金属塞和硼磷硅玻璃的正上方；背面金属层覆于衬底层的底部；良导体形成场效应晶体管本体的栅极，金属薄膜形成场效应晶体管本体的源极，背面金属层形成场效应晶体管本体的漏极。

6.根据权利要求5所述具有积累效应的场效应晶体管，其特征是，沟槽底部生长的氧化层的厚度厚于沟槽侧壁生长的氧化层的厚度。