[发明专利]一种硅片母合金的制备方法有效
| 申请号： | 201410127558.6 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104947187B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 吕学谦;孟华;银波;郭增昌;范协诚 | 申请（专利权）人： | 新特能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 罗建民,邓伯英 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市乌鲁*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 合金 制备 方法 | ||
1.一种硅片母合金的制备方法，其特征在于，将精制硅源气体与第IIIA族元素的三氯化物、第IIIA族元素的氢化物、第VA族元素的三氯化物、第VA族元素氢化物中的一种或多种通入到流化床反应器内，并向流化床反应器内通入籽晶并使得该籽晶流体化，通过热分解反应制得硅片母合金，其中，所述第IIIA族元素为硼或铝，所述第VA族元素为磷或砷，所述精制硅源气体采用精制氯硅烷低沸物，所述精制硅源气体为精制氯硅烷的提纯过程产生的沸点较低的氯硅烷，即塔顶采出氯硅烷，将所述精制硅源气体通过吸附除去金属杂质。
2.根据权利要求1所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，所述精制硅源气体为甲硅烷、四氯化硅、三氯化硅、二氯化硅中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，所述籽晶的粒径为0.10～0.50mm。
4.根据权利要求1所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，所述热分解反应的温度为600～1400℃。
5.根据权利要求4所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，所述热分解反应的温度为800～1200℃。
6.根据权利要求1所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，所述精制硅源气体与所述第IIIA族元素的三氯化物、所述第IIIA族元素的氢化物、所述第VA族元素的三氯化物、所述第VA族元素氢化物中的一种或多种的摩尔数之和的摩尔比为(1000000：1)～(100：1)。
7.根据权利要求1所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，所述籽晶与所述精制硅源气体的摩尔比为(1：10)～(1：1)。
8.根据权利要求1所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，向所述流化床反应器内通入所述第IIIA族元素的三氯化物、所述第IIIA族元素的氢化物、所述第VA族元素的三氯化物、所述第VA族元素氢化物中的一种或多种时使用载气进行负载，所述载气为氮气、氢气、氩气或氦气中的一种。
9.根据权利要求8所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，所述载气与该载气负载的所述第IIIA族元素的三氯化物、所述第IIIA族元素的氢化物、所述第VA族元素的三氯化物、所述第VA族元素氢化物中的一种或多种的摩尔数之和的摩尔比为(1000000：1)～(100：1)。
10.根据权利要求1所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，所述金属杂质为铁、铜、钙、锌、铝中的一种或几种。
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