[发明专利]一种太阳能电池片及其制备方法、含有该电池片的太阳能电池组件

权利要求书

1.一种太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片包括硅基体片、硅基体片向光面的向光面电极、硅基体片背光面的背电场及与背电场导通的背电极；所述硅基体片向光面含有减反射膜区及无减反射膜区，所述向光面电极包括位于无减反射膜区表面的电极阻挡层及位于电极阻挡层上的电极主体层；所述电极阻挡层为锡、铅、铋、锑、镍和钛中两种或两种以上形成合金层中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述电极阻挡层中含有锡，所述电极阻挡层中的锡质量含量为40~80wt%。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述电极阻挡层中含有铅，所述电极阻挡层中铅的质量含量为40~80wt%。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的太阳能电池片，其特征在于，所述电极阻挡层中还含有银，所述电极阻挡层中银的质量含量为0.1~10wt%。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池片，其特征在于，所述电极阻挡层为锡铅合金层、锡镍合金层和锡镍银合金层中一种。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池片，其特征在于，所述电极阻挡层为锡镍银合金层，所述锡元素在锡镍银合金中的质量含量为40~60wt%，所述银元素在锡镍银合金中的质量含量为2.0~4.0wt%，余下为镍元素。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池片，其特征在于，所述电极阻挡层的高度为1.0~100nm。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池片，其特征在于，所述电极主体层的高度为10~20mm。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池片，其特征在于，所述向光面电极包括主栅线和将太阳能电池电流汇集到主栅线，而与主栅线相连的副栅线，所述副栅线的高度为10~20mm，宽度为20~50mm。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池片，其特征在于，所述电极主体层为铜层或铜银合金层。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池片，其特征在于，所述电极主体层为铜银合金层，所述铜银合金层中银的质量含量为0.1~5.0wt%。

12.一种权利要求1-11任意一项所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，该方法包括在硅基体片向光面制备向光面电极、硅基体片背光面制备背电场及与背电场导通的背电极；所述向光面电极的制备方法包括在硅基体片向光面制备减反射膜区及无减反射膜区，然后在无减反射膜区的表面制备电极阻挡层，再在电极阻挡层上制备电极主体层。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述在硅基体片向光面制备无减反射膜区的方法包括通过激光烧蚀的方法去除硅基体片向光面的减反射膜。

14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在无减反射膜区的表面制备电极阻挡层的方法为磁控溅射。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的条件为：本底真空度<5.5×10^-3 Pa，高纯氩气为工作气体，溅射气压为0.1~1.0Pa，溅射功率为500~5000W，靶与基片的距离为20~200mm，溅射方式为直流，溅射时间1.0~30 min。

16.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述电极主体层为铜银合金层，在所述电极阻挡层上制备所述电极主体层的方法为磁控溅射。

17.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于，所述的磁控溅射的条件是：本底真空度<5.0×10^-3Pa，高纯氩气为工作气体，溅射气压为0.1~1.0Pa，溅射功率为500~5000W，溅射靶与硅基体片的距离为20~200mm，溅射方式为直流，溅射时间0.5~2.0h。

18.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述电极主体层为铜层，在电极阻挡层上制备电极主体层的方法为真空蒸镀。