[发明专利]介电薄膜的后处理方法、互连层及半导体器件有效
| 申请号： | 201410127765.1 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104952724B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 处理 方法 互连 半导体器件 | ||
1.一种介电薄膜的后处理方法，其特征在于，该后处理方法包括：
氧化处理所述介电薄膜，以在所述介电薄膜中渗透形成氧离子；以及
UV照射含有氧离子的所述介电薄膜；所述氧化处理介电薄膜的步骤中，采用水或者双氧水对所述介电薄膜进行喷淋或浸泡处理，以在所述介电薄膜中渗透形成氧离子；所述氧化处理介电薄膜的步骤中，所述水或者双氧水的温度为30～90℃。
2.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述氧化处理介电薄膜的步骤中，所述水为去离子水。
3.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述氧化处理介电薄膜的步骤中，采用浸泡处理的方式，且所述浸泡处理的时间为30～180min。
4.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述UV照射步骤中采用波长为100～300nm的紫外线进行照射。
5.根据权利要求4所述的后处理方法，其特征在于，所述UV照射的温度为300～500℃，处理时间为2～10分钟，所述紫外线的光强度为100～2000mW/cm2。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的后处理方法，其特征在于，所述介电薄膜为低介电常数介质材料。
7.根据权利要求6所述的后处理方法，其特征在于，所述介电薄膜为SiO2、SiON或SiOC。
8.一种互连层，包括衬底以及设置于所述衬底上的介电薄膜，其特征在于，所述介电薄膜经权利要求1至7中任一项所述的后处理方法进行处理。
9.一种半导体器件，包括衬底以及设置于所述衬底上的介电薄膜，其特征在于，所述介电薄膜经权利要求1至7中任一项所述的后处理方法进行处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410127765.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
