[发明专利]一种完成BGA封装之后的晶圆的切割分粒方法在审
| 申请号： | 201410127847.6 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103887238A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 赖芳奇;吕军 | 申请（专利权）人： | 惠州硕贝德无线科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B23K26/38 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 任海燕;常跃英 |
| 地址： | 516003 广东省惠州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 完成 bga 封装 之后 切割 方法 | ||
1.一种完成BGA封装之后的晶圆的切割分粒方法，所述BGA封装之后的晶圆的球栅阵列面上有切割道，另一面为玻璃层，其特征在于，包括步骤：
（1）利用激光沿着球栅阵列面上的切割道进行切割，切割深度达玻璃层的内表面，形成一沟槽；
（2）透过步骤（1）形成的沟槽将所述的晶圆的玻璃层再次进行激光切割，打断玻璃层内部的分子链；
（3）将切割好的晶圆进行扩片处理，使每颗芯片完成最后分粒。
2.根据权利要求1所述的切割分粒方法，其特征在于，在进行步骤(1)的激光切割之前,先在晶圆的玻璃层外表面贴附UV胶带,完成步骤(2)的再次激光切割后,对UV胶带进行照射UV光处理。
3.根据权利要求1所述的切割分粒方法，其特征在于，在步骤(1)中的激光切割的沟槽宽度范围为5～50um。
4.根据权利要求1所述的切割分粒方法，其特征在于，步骤（1）所述的激光切割，沿着球栅阵列面上的切割道，依次切开有机材料保护层、晶圆内部结构层和有机材料围堰层。
5.根据权利要求1所述的切割分粒方法，其特征在于，步骤（1）所述的激光切割，沿着球栅阵列面上的切割道，依次切开有机材料保护层、硅结构层、晶圆内部结构层和有机材料围堰层。
6.根据权利要求2所述的切割分粒方法，其特征在于，晶圆片贴附UV胶带时，玻璃层朝下，球栅阵列面朝上，固定在激光加工设备上。
7.根据权利要求1所述的切割分粒方法，其特征在于，步骤(1)第一次激光切割时激光频率为30～50KHZ，功率为1～10W。
8.根据权利要求1所述的切割分粒方法，其特征在于，步骤(2)再次激光切割时激光频率为80-120KHZ，功率为1～5W。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
