[发明专利]一种SiC晶体单色器在审
| 申请号： | 201410128679.2 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103940837A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 孙伟;陈小龙;甘弟;宋有庭;王文军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01N23/20 | 分类号： | G01N23/20 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 晶体 单色 | ||
1.一种高分辨X射线衍射仪晶体单色器，所述晶体单色器包含两个6H-SiC或者4H-SiC晶片，两个晶片呈平行排列构成一个二晶单色器；或者所述晶体单色器包含一个U形结构的6H-SiC或者4H-SiC晶片，所述U形结构的侧壁作为两个反射面，构成一个二晶单色器。
2.一种高分辨X射线衍射仪晶体单色器，所述晶体单色器包含四个6H-SiC或者4H-SiC晶片，所述四个晶片两两平行排列，组成两个二晶单色器，所述两个二晶单色器呈镜像对称排列，构成一个四晶单色器；或者所述晶体单色器包含两块U形结构的6H-SiC或者4H-SiC晶体，所述两块U形结构的6H-SiC或者4H-SiC晶体呈镜像排列，构成一个四晶单色器。
3.根据权利要求1或2所述的单色器，其特征在于：首选6H-SiC单晶的(0006)面或者4H-SiC单晶的(0004)面作为衍射面。
4.根据权利要求3所述的单色器，其特征在于：作为衍射面的所述6H-SiC单晶的(0006)面或者所述4H-SiC单晶的(0004)面可以是C面，也可以是Si面。
5.根据权利要求3所述的单色器，其特征在于：所述6H-SiC晶体表面与(0006)衍射面平行，所述4H-SiC晶体表面与(0004)衍射面平行。
6.根据权利要求1或2所述的单色器，其特征在于：在高分辨X射线衍射仪上，通过旋转晶片或者晶柱确定最大反射率的方向作为通光方向。
7.根据权利要求1或2所述的单色器，其特征在于：首选在一块完整6H-SiC或者4H-SiC晶体上加工成槽型结构，所述槽的侧壁为相互平行的两个(0006)晶面或者(0004)晶面，作为反射面构成一个双晶单色器；两个所述双晶单色器以镜像对称排列，即构成一个四晶单色器。
8.根据权利要求1或2所述的单色器，其特征在于：将一块完整6H-SiC晶体和一块完整4H-SiC晶体分别加工成槽型结构，槽的侧壁为相互平行的两个(0006)晶面和两个(0004)晶面，作为衍射面构成两个双晶单色器；两个所述双晶单色器以镜像对称排列，构成一个四晶单色器。
9.根据权利要求1或2所述的单色器，其特征在于：构成双晶或者四晶单色器的两个或者四个SiC晶片包含4H-SiC和6H-SiC，衍射面可以是Si面也可以是C面。
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