[发明专利]去除光刻胶的后处理方法及互连层结构的制作方法

权利要求书

1.一种去除光刻胶的后处理方法，所述光刻胶是采用NMP溶液刻蚀去除，其特征在于，所述后处理方法包括：

采用臭氧水对去除所述光刻胶后的半导体器件进行第一次清洗；以及

采用去离子水对所述第一次清洗后的所述半导体器件进行第二次清洗；

所述臭氧水中O₃的含量为40～80ppm。

2.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述第一次清洗的温度为25～45℃，时间为20～120秒。

3.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述第二次清洗的温度为25～45℃，时间为20～120秒。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的后处理方法，其特征在于，所述后处理方法进一步包括：采用氮气吹干所述第二次清洗后的所述半导体器件。

5.一种互连层结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

形成内部具有第一金属区域的第一互连层；

在所述第一互连层上形成具有第二通孔的第二互连层和具有第一通孔的硬掩膜，其中所述第一通孔和所述第二通孔与所述第一金属区域位置相匹配；

在所述第二通孔中形成光刻胶层；

采用NMP溶液刻蚀去除所述第一金属区域上的光刻胶层；

采用权利要求1至4中任一项所述的去除光刻胶的后处理方法清洗所述第一金属区域；以及

在所述第二通孔中形成第二金属区域。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在采用NMP溶液刻蚀去除所述第一金属区域上的所述光刻胶层的步骤前，还包括沿所述第一通孔内壁向外回蚀所述硬掩膜，形成具有第三通孔的硬掩膜的步骤，其中所述第三通孔的横截面积大于所述第一通孔的横截面积。

7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成内部具有所述第一金属区域的所述第一互连层的步骤包括：

在半导体器件区的表面沿远离所述半导体器件区的方向依次形成第一刻蚀阻挡层和第一介电层，以形成所述第一互连层；

依次刻蚀所述第一介电层和所述第一刻蚀阻挡层，在所述第一互连层中形成第一沟道；

在所述第一沟道中形成所述第一金属区域。

8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述第一互连层上形成具有第二通孔的第二互连层和具有第一通孔的硬掩膜的步骤包括：

在所述第一互连层表面沿远离所述第一互连层的方向依次形成第二刻蚀阻挡层和第二介电层，以形成所述第二互连层；

在所述第二互连层上形成硬掩膜，并刻蚀所述硬掩膜，在所述硬掩膜中形成所述第一通孔；

沿所述第一通孔向下刻蚀所述第二介电层和第二刻蚀阻挡层，以形成使得第一金属区域上表面裸露的所述第二通孔。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述光刻胶层的步骤包括：

形成覆盖在所述硬掩膜层上、并填充在所述第一通孔和第二通孔中的光刻胶预备层；

刻蚀去除所述光刻胶预备层中位于所述硬掩膜上以及位于所述第一通孔中的光刻胶，形成位于所述第二通孔中的光刻胶层。