[发明专利]晶圆级封装结构以及封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干芯片区域以及位于芯片区域之间的切割道区域；

位于所述待封装晶圆芯片区域表面的焊垫和感光元件；

与所述待封装晶圆表面相对设置的封装盖；

覆盖于焊垫表面、切割道区域表面、以及焊垫与切割道区域之间的芯片区域表面的第一围堤结构，且第一围堤结构顶部表面与封装盖表面相接触且不固定接合；

位于所述封装盖表面的第二围堤结构，封装盖与待封装晶圆通过所述第二围堤结构固定接合，所述第二围堤结构位于第一围堤结构和感光元件之间，且所述第二围堤结构位于感光元件的两侧；

所述第二围堤结构包括第一子围堤结构和第二子围堤结构，其中，第一子围堤结构位于感光元件的一侧，第二子围堤结构位于感光元件的另一侧，且第一子围堤结构的宽度大于第二子围堤结构的宽度。

2.根据权利要求1所述晶圆级封装结构，其特征在于，还包括：位于待封装晶圆芯片区域表面的第三围堤结构，所述第三围堤结构的厚度值与第一围堤结构的厚度值相等，且所述第三围堤结构位于感光元件与第二围堤结构之间，所述第三围堤结构顶部表面与封装盖表面相接触。

3.根据权利要求1所述晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二围堤结构顶部表面具有粘合剂层，且粘合剂层与第二围堤结构的厚度值之和与第一围堤结构的厚度值相等，所述第二围堤结构顶部表面与待封装晶圆表面通过粘合剂层固定接合。

4.根据权利要求1所述晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二围堤结构的材料为光刻胶、树脂、有机玻璃、无机玻璃或硅。

5.根据权利要求4所述晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二围堤结构和封装盖的材料相同时，所述第二围堤结构以及封装盖为一体结构。

6.根据权利要求1所述晶圆级封装结构，其特征在于，所述封装盖内具有开口，且所述开口暴露出感光元件一侧的第二围堤结构顶部表面。

7.根据权利要求6所述晶圆级封装结构，其特征在于，所述开口位于第一子围堤结构顶部，且暴露出第一子围堤结构的顶部表面。

8.根据权利要求7所述晶圆级封装结构，其特征在于，所述开口的宽度大于或等于第一子围堤结构的宽度，且所述第一子围堤结构的厚度值小于第二子围堤结构的厚度值。

9.一种封装方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1至5任一项所述的晶圆级封装结构，且所述晶圆级封装结构的待封装晶圆包括位于芯片区域之间的切割道区域，形成有焊垫和感光元件的待封装晶圆的表面为第一面，与所述第一面相对的表面为第二面；

对所述晶圆级封装结构的待封装晶圆的第二面进行减薄；

对减薄后待封装晶圆的第二面进行刻蚀，形成贯穿所述待封装晶圆的通孔，所述通孔暴露出待封装晶圆第一面的焊垫；

在所述待封装晶圆的第二面和通孔的侧壁形成绝缘层，且暴露出通孔底部的焊垫；

在所述绝缘层表面形成金属层，且所述金属层与焊垫相连接，在所述金属层表面形成焊接凸起；

去除位于感光元件一侧的部分厚度的第二围堤结构，且所述去除的第二围堤结构的宽度与去除前第二围堤结构的宽度相同；

沿切割道区域对所述待封装晶圆进行切割形成晶粒，在切割待封装晶圆的同时切割封装盖；

向封装盖提供作用力，使得位于感光元件另一侧的第二围堤结构从晶粒表面脱落，封装盖与晶粒之间分离。

10.根据权利要求9所述封装方法，其特征在于，所述向封装盖提供作用力的方法为：在与所述封装盖表面相对的另一面设置粘性胶带层，通过对所述粘性胶带层施加作用力而向封装盖提供作用力，使位于感光元件另一侧的第二围堤结构从晶粒表面脱落，封装盖与晶粒之间分离。

11.根据权利要求9所述封装方法，其特征在于，去除位于感光元件一侧的部分厚度的第二围堤结构的方法为：去除部分厚度的第一子围堤结构以及位于第一子围堤结构正上方的封装盖，在封装盖内形成开口。

12.根据权利要求9所述封装方法，其特征在于，在去除部分厚度的第二围堤结构的同时，去除与所述第二围堤结构相邻的部分宽度的第一围堤结构和第三围堤结构。

13.根据权利要求9所述封装方法，其特征在于还包括步骤：对待封装晶圆切割道区域第二面进行预切割处理。