[发明专利]多层半导体封装

说明书

技术领域

本申请涉及半导体封装，并且更具体地涉及多层半导体封装。

背景技术

电子组件集成密度的增加以及相关联的对热导率和电导率的更大的需要要求具有更优的热导率和电导率的新式连接技术，并且还要求用于相对应连接元件的结构技术。近年来，金属夹（clip）已经在用于提供半导体裸片（芯片）电极和模制封装引线（lead）之间的电连接的线接合（wire bond）上获得了普及。金属夹提供在封装引线和裸片电极之间的大面积连接，与线接合相比允许封装的电导率和热导率的增加。然而，传统的模制封装在封装中提供的所有引线都在相同层，限制在封装中的电导率和热导率性能以及互连布局。

发明内容

本文所述的实施例提供一种半导体封装，具有终止于在封装中的不同层的引线。在封装中至少包括一个单个连续平面结构的连接器，用于将半导体裸片的电极连接至封装中的相同层处的封装引线。

根据半导体封装的一个实施例，封装包括：半导体裸片，具有在第一侧的第一电极和在相对所述第一侧的第二侧的第二电极；第一引线，在所述半导体裸片下，并且在封装的第一层处连接到所述第一电极；以及第二引线，具有大于所述第一引线的高度，并且终止于在封装中的所述第一层之上的第二层，所述第二层对应于所述半导体裸片的高度。在所述半导体裸片和所述第二引线之上的单个连续平面结构的连接器在封装的相同的第二层处连接到第二电极和第二引线两者。

根据制造半导体封装的方法的一个实施例，方法包括：提供具有在第一侧的第一电极和在相对所述第一侧的第二侧处的第二电极的半导体裸片；将在所述半导体裸片下的第一引线在封装的第一层处连接到的所述第一电极；提供具有大于所述第一引线的高度并且在封装中的在所述第一层之上的第二层处终止的第二引线，所述第二层对应于所述半导体裸片的高度；并且将布置在所述半导体裸片和所述第二引线之上的单个连续平面结构的连接器在所述相同的第二层处连接到所述第二电极和所述第二引线两者。

根据半导体封装的另一个实施例，封装包括：第一半导体裸片，具有上侧和下侧；以及第二半导体裸片，在所述第一裸片之上，并且具有朝向背离所述第一裸片的上侧和朝向所述第一裸片的所述上侧的下侧。在所述第一裸片上侧的电极在所述第一裸片和所述第二裸片之间连接到在所述第二裸片的所述下侧的电极。在所述第一裸片下的第一引线在所述封装的第一层处连接到在所述第一裸片的所述下侧的电极。具有大于所述第一引线的高度的第二引线终止于在所述封装中、在所述第一层之上的第二层，所述第二层对应于所述第二裸片的高度。在所述第二裸片和所述第二引线之上的单个连续平面结构的连接器在封装的相同的第二层处连接到所述第二裸片的所述上侧的电极和所述第二引线两者。

根据制造半导体封装的方法的另一个实施例，该方法包括：将在第一半导体裸片的下侧的电极在所述封装的第一层处连接到在所述第一裸片下的第一引线；将在所述第一裸片的上侧的电极连接到在布置在所述第一芯片之上的第二半导体裸片的下侧的电极；并且将在所述第二裸片的上侧的电极在所述封装的在所述第一层之上的相同的第二层处、经由布置在所述第二裸片和所述第二引线之上的单个连续平面结构的连接器，连接到所述第二引线，第二引线具有大于所述第一引线的高度并且终止于所述第二层，所述第二层对应于所述第二裸片的高度。

本领域技术人员基于阅读以下详细说明以及基于查看附图，将识别另外的特征和优点。

附图说明

附图中的组件不一定按比例绘制，而是将重点放在图示本发明的原理上。此外在附图中，相似的附图标记标示相同的部件。在附图中：

图1例图示根据本发明的一个实施的一种多层半导体封装的横截面图；

图2图示根据本发明的另一个实施例的一种多层半导体封装的横截面图；

图3图示由被包括在图2的封装中的组件实现的半桥式转换器电路的示例性电路图；

图4示出根据本发明的又一个实施例的一种多层半导体封装的俯视图；以及

图5示出图4的多层半导体封装的侧面透视图。

具体实施方式