[发明专利]一种高效率的发光二极管以及激光器

权利要求书

1.一种光电子器件，包括：衬底；以及由III族氮化物形成的多个多量子阱(MQW)层，其特征在于：载流子重组以发射出光子，所述多个MQW层被形成在所述衬底上，并且其中所述多个MQW层沿着自身的连续长度在厚度上发生周期性的变化。

2.根据权利要求1所述的一种光电子器件器件，其特征在于：所述层具有应力引发的位错，并且所述厚度变化导致量子受限区域的形成，所述量子受限区域小于所述应力引发的位错之间的间距；所述量子受限区域捕集所述载流子，所述载流子重组以生成所述光子来进行有效率的自发发射。

3.根据权利要求1所述的一种光电子器件，其特征在于：包括被形成在所述器件上的触点，以及电压源，所述电压源耦接至所述触点以使得所述器件作为高效率LED来操作。

4.根据权利要求1所述的一种光电子器件，其特征在于：包括用于生成相干光的反馈镜。

5.根据权利要求1所述的一种光电子器件，其特征在于：所述MQW是由InxGa(1-x)N和GaN组成的层形成的。

6.根据权利要求1所述的一种光电子器件，其特征在于：所述MQW是由AlyInxGa(1-x-y)N以及Al2Ga(1-z)N组成的层形成的。

7.根据权利要求1所述的一种光电子器件，其特征在于：所述衬底是由选自Al2O3、Si、SiC、GaN或AlN组成的类别中的化合物或其合金形成的。

8.根据权利要求1所述的一种光电子器件，其特征在于：所述厚度变化是2至10纳米(nm)的相对短的长度范围，具有50至200nm的额外长范围厚度变化以及大于10％的厚度变化；具有大于10％的额外长范围厚度变化，具有小于位错间距的长范围厚度变化周期。