[发明专利]一种可以提高P型背面钝化电池效率的热处理方法

权利要求书

1.一种可以提高P型背面钝化电池效率的热处理方法，其特征是，包括以下步骤：

（a）在做完刻蚀的硅片正面沉积氮化硅层，背面蒸镀三氧化二铝；

（b）对硅片的背面进行激光开槽处理，然后依次印刷背极背场和正银，并完成烧结；

（c）将金属化完成的电池片在无氧无氢状态下进行低温退火处理。

2.根据权利要求1所述的可以提高P型背面钝化电池效率的热处理方法，其特征是，所述步骤（a）中三氧化二铝的厚度为100nm。

3.根据权利要求1所述的可以提高P型背面钝化电池效率的热处理方法，其特征是，所述步骤（b）中激光开槽的宽度为50um。

4.根据权利要求1所述的可以提高P型背面钝化电池效率的热处理方法，其特征是，所述步骤（c）中氧含量和氢含量均小于3%，退火温度为150～350℃，时间为5～10min。