[发明专利]对准标记及其对准方法有效
| 申请号： | 201410130687.0 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104952851B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 舒强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 标记 及其 方法 | ||
1.一种对准标记，用于光刻工艺的对准，所述对准标记包括一组形成于半导体衬底上的主标记，所述主标记包括沿第一方向的第一主标记和沿第二方向的第二主标记，所述第一方向和第二方向垂直，其特征在于，所述第一主标记包括N组第一子标记，所述第一子标记为光栅结构，所述N组第一子标记在第二方向组合排列；所述第二主标记包括N组第二子标记，所述第二子标记为光栅结构，所述N组第二子标记在第一方向组合排列；所述N为该次光刻工艺需要对准的膜层的数量；所述需要对准的膜层中皆形成有一组第一子标记和第二子标记。
2.如权利要求1所述的对准标记，其特征在于，所述第一方向为水平方向，所述第二方向为竖直方向。
3.如权利要求2所述的对准标记，其特征在于，所述光栅结构包括多组光栅。
4.如权利要求1所述的对准标记，其特征在于，所述第一主标记和第二主标记的长度为700～800μm，宽度为50～100μm。
5.如权利要求1所述的对准标记，其特征在于，每组第一子标记的尺寸相同，每组第二子标记的尺寸相同。
6.如权利要求5所述的对准标记，其特征在于，每组子标记的第一子标记和第二子标记的长度为700～800μm，宽度为50/N～100/Nμm。
7.一种使用权利要求1～6中任意一项所述的对准标记的对准方法，所述对准方法包括：
在需要对准的第一层膜层中形成一组第一子标记和一组第二子标记；
形成至最后一层需要对准的膜层中的各组第一子标记和第二子标记，以形成所述主标记；
利用所述主标记进行光刻工艺的对准。
8.一种使用权利要求7中所述的对准标记的对准方法，其特征在于，各组第一子标记和第二子标记在其所在膜层的图案化过程中形成。
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