[发明专利]OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种OLED阵列基板，包含有多个OLED像素单元，其中所述OLED像素单元包括：第一电极，第二电极，以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光结构层；

其中，所述第一电极包括：位于底层的金属单质膜层、位于金属单质膜层之上的合金膜层、以及位于合金膜层之上的ITO膜层，所述合金膜层为所述金属单质与汞以设定质量比例混合而成的合金所形成的膜层。

2.如权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，还包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板之上的TFT阵列；

其中，所述第一电极比所述第二电极更靠近所述衬底基板。

3.如权利要求2所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述合金膜层中，金属单质与汞的质量比例范围为1.2:1～100:1。

4.如权利要求3所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述金属单质膜层的厚度为所述合金膜层的厚度为所述ITO膜层的厚度为

5.如权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述金属单质为锡、银、钛、钒、铝、锌、锡、铜、金或铂中的任意一种。

6.一种显示面板，包括如权利要求1～5任一项所述的OLED阵列基板。

7.一种显示装置，包括如权利要求6所述的显示面板。

8.一种OLED阵列基板的制备方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板之上形成TFT阵列，其中，所述第一电极比所述第二电极更靠近所述衬底基板；

在所述TFT阵列之上形成多个OLED像素单元，包括：通过三次沉积形成第一电极，在所述第一电极之上形成发光结构层，在所述发光结构层之上形成第二电极；

其中，通过三次沉积形成第一电极，具体包括：在所述TFT阵列之上利用第一次沉积形成金属单质膜层，在所述金属单质膜层之上利用第二次沉积形成合金膜层，在所述合金膜层之上利用第三次沉积形成ITO膜层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述合金膜层之上利用第三次沉积形成ITO膜层之后，还包括：

利用湿刻工艺对所述ITO膜层进行刻蚀；

利用设定质量比例的混合溶液对所述合金膜层和金属单质膜层进行刻蚀；

形成第一电极图案。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成第一电极图案之后，还包括：

对形成第一电极图案的阵列基板进行退火工艺，所述退火工艺的温度为180℃～230℃。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述设定质量比例的混合溶液包括：质量比例为3%～7%的硝酸、质量比例为45%～60%的磷酸或硫酸、质量比例为15%～25%的乙酸和质量比例为0.5%～7%的添加剂。