[发明专利]TaVCN硬质纳米结构薄膜及制备方法有效
| 申请号： | 201410131115.4 | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN103924190A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 喻利花;许俊华;黄婷 | 申请（专利权）人： | 江苏科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tavcn 硬质 纳米 结构 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种TaVCN硬质纳米结构薄膜，其特征在于，所述的薄膜采用多靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上制备得到，所述的薄膜分子式表示为(Ta,V)CN，薄膜厚度在1-3μm。
2.一种根据权利要求1所述的TaVCN硬质纳米结构薄膜的制备方法，其特征在于，采用多靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上制备得到，沉积时，真空度优于3.0×10-3Pa,以氩气起弧，氮气为反应气体进行沉积，溅射气压0.3Pa、氩氮流量比10:（2-5），Ta靶功率为80-150W，C靶功率为40-60W，V靶功率为0-100W，V含量为0-40at.%。
3.根据权利要求2所述的TaVCN硬质纳米结构薄膜的制备方法，其特征在于，在基体上预先沉积纯Ta作为过渡层。
4.根据权利要求2所述的TaVCN硬质纳米结构薄膜的制备方法，其特征在于，Ta靶功率为80-150W，C靶功率为40-60W，V靶功率为0-100W。
5.根据权利要求2所述的TaVCN硬质纳米结构薄膜的制备方法，其特征在于，Ta靶功率100W，C靶功率为60W，V靶功率为0-100W。
6.根据权利要求2所述的TaVCN硬质纳米结构薄膜的制备方法，其特征在于，Ta靶功率100W，C靶功率为60W，V靶功率为40-100W。
7.根据权利要求2所述的TaVCN硬质纳米结构薄膜的制备方法，其特征在于，Ta靶功率100W，C靶功率为60W，V靶功率为80W。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏科技大学，未经江苏科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410131115.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：石墨烯纳米带及其制备方法
- 下一篇：基于以太网的程序固化方法
- 同类专利
- 专利分类
