[发明专利]用于锡氧化物半导体的组合物以及形成锡氧化物半导体薄膜的方法

权利要求书

1.非晶锡氧化物半导体薄膜，形成所述薄膜的组合物包含：

锡前体化合物，

锑前体化合物，以及

用于所述锡前体化合物和所述锑前体化合物的溶剂，

其中所述锑前体化合物与所述锡前体化合物之间的摩尔比为0.5至0.9，以及

其中所述锑前体化合物与所述锡前体化合物相对于总组合物的各自浓度为0.1M至10M。

2.如权利要求1所述的非晶锡氧化物半导体薄膜，其中所述锡前体化合物包括锡(II)氯化物、锡(II)碘化物、锡(II)氯化物二水合物、锡(II)溴化物、锡(II)氟化物、锡(II)草酸盐、锡(II)硫化物、锡(II)乙酸盐、锡(IV)氯化物、锡(IV)氯化物五水合物、锡(IV)氟化物、锡(IV)碘化物、锡(IV)硫化物、锡(IV)叔丁氧化物或其组合。

3.如权利要求1所述的非晶锡氧化物半导体薄膜，其中所述锑前体化合物包括锑(III)氯化物、锑(V)氯化物、锑(III)乙氧化物、锑(V)硫化物、锑(V)氟化物、锑(III)丙氧化物、锑(III)碘化物、锑(III)乙酸盐或其组合。

4.如权利要求1所述的非晶锡氧化物半导体薄膜，其中所述溶剂包括去离子水、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、二乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、二丙二醇甲醚、甲苯、二甲苯、己烷、庚烷、辛烷、乙酸乙酯、乙酸丁酯、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲基乙基醚、甲基甲氧基丙酸、乙基乙氧基丙酸、乳酸乙酯、丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇甲醚、丙二醇丙醚、乙酸甲基溶纤剂、乙酸乙基溶纤剂、二乙二醇乙酸甲酯、二乙二醇乙酸乙酯、丙酮、甲基异丁基酮、环己酮、二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、γ-丁内酯、二乙醚、乙二醇二甲醚、二甘醇二甲醚、四氢呋喃、乙酰丙酮、乙腈或其组合。

5.形成非晶锡氧化物半导体薄膜的方法，所述方法包括：

制备包含溶解于溶剂中的锡前体化合物和锑前体化合物的组合物；

将所述组合物涂覆在衬底上；以及

在涂覆所述组合物的衬底上进行热处理，

其中所述锑前体化合物与所述锡前体化合物之间的摩尔比为0.5至0.9，以及

其中所述锑前体化合物与所述锡前体化合物相对于总组合物的各自浓度为0.1M至10M。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述锡前体化合物包括锡(II)氯化物、锡(II)碘化物、锡(II)氯化物二水合物、锡(II)溴化物、锡(II)氟化物、锡(II)草酸盐、锡(II)硫化物、锡(II)乙酸盐、锡(IV)氯化物、锡(IV)氯化物五水合物、锡(IV)氟化物、锡(IV)碘化物、锡(IV)硫化物、锡(IV)叔丁氧化物或其组合。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述锑前体化合物包括锑(III)氯化物、锑(V)氯化物、锑(III)乙氧化物、锑(V)硫化物、锑(V)氟化物、锑(III)丙氧化物、锑(III)碘化物、锑(III)乙酸盐或其组合。

8.如权利要求5所述的方法，其中所述溶剂包括去离子水、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、二乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、二丙二醇甲醚、甲苯、二甲苯、己烷、庚烷、辛烷、乙酸乙酯、乙酸丁酯、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲基乙基醚、甲基甲氧基丙酸、乙基乙氧基丙酸、乳酸乙酯、丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇甲醚、丙二醇丙醚、乙酸甲基溶纤剂、乙酸乙基溶纤剂、二乙二醇乙酸甲酯、二乙二醇乙酸乙酯、丙酮、甲基异丁基酮、环己酮、二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、γ-丁内酯、二乙醚、乙二醇二甲醚、二甘醇二甲醚、四氢呋喃、乙酰丙酮、乙腈或其组合。

9.如权利要求5所述的方法，其中所述热处理包括在100℃至300℃的温度下进行的第一热处理，以及在300℃至500℃的温度下进行的第二热处理。