[发明专利]MEMS麦克风的形成方法

权利要求书

1.一种MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底正面具有第一牺牲材料层，所述第一牺牲材料层表面具有第一凹槽；

在所述第一凹槽的底壁及侧壁形成绝缘层；

在所述绝缘层及部分区域的第一牺牲材料层上形成第一导电材料层，所述第一导电材料层用于形成可动敏感薄膜，所述可动敏感薄膜在对应第一凹槽处形成第一凸起；

在所述第一牺牲材料层以及第一导电材料层上形成第二牺牲材料层，所述第二牺牲材料层至少在预定形成声音传输通道开孔的区域具有若干第二凹槽；

在所述第二牺牲材料层上以及第二凹槽内形成第三牺牲材料层，所述第三牺牲材料层表面具有对应所述第二凹槽的第三凹槽；

刻蚀所述第二牺牲材料层与第三牺牲材料层形成暴露所述第一导电材料层一端的第一通孔；

在所述第三凹槽外的第三牺牲材料层上形成第二导电材料层，在预定形成声音传输通道开孔的区域去除所述第二导电材料层，所述第二导电材料层用于形成固定电极；

在所述第二导电材料层上、第三凹槽以及第一通孔内形成钝化层，图形化所述钝化层分别形成暴露可动敏感薄膜的第二通孔、暴露固定电极的第三通孔以及若干声音传输通道开孔；

至少在所述第二通孔与第三通孔底部、侧壁及通孔外的钝化层上形成第三导电材料层，以分别形成引出可动敏感薄膜和固定电极电信号的接触电极；

从所述衬底的背面形成贯穿所述衬底的开口，以形成声音传输通道开口，所述声音传输通道开口与所述若干声音传输通道开孔相对；

经声音传输通道开孔至少腐蚀第三牺牲材料层、第二牺牲材料层，以及第一牺牲材料层，以形成空腔释放可动敏感薄膜，所述可动敏感薄膜为单臂梁，所述单臂梁的自由端靠近端头区域具有被绝缘层覆盖的第一凸起，以隔绝空腔内壁的静电荷传输至所述单臂梁。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一凹槽的底壁及侧壁形成绝缘层时，还在所述第一凹槽开口处的第一牺牲材料层上形成绝缘层。

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所提供的半导体衬底正面还形成有包括第一部分的第一材料层，所述第一部分形成第二凸起，所述第二凸起与所述单臂梁的自由端的端头相对。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所提供的半导体衬底正面形成有包括第二部分的第一材料层，所述第二部分对应所述衬底的预定形成声音传输通道开口。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲材料层还在预定形成暴露衬底的通孔区域具有第二凹槽，刻蚀形成所述第一通孔同时，还刻蚀所述第三牺牲材料层与所述第一牺牲材料层，形成暴露所述衬底的第四通孔，在形成所述第二导电材料层同时，所述第四通孔底壁、侧壁及通孔外的第三牺牲材料层上形成第二导电材料层。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，刻蚀形成所述第一通孔后，还在所述第一通孔底壁、侧壁及第三牺牲材料层上形成黏附材料层，所述黏附材料层用于黏附所述第三牺牲材料层与后续形成在其上的第二导电材料层。

7.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，刻蚀形成所述第一通孔以及第四通孔后，还在所述第一通孔与第四通孔的底壁、侧壁及第三牺牲材料层上形成黏附材料层，并去除所述第四通孔底壁的所述黏附材料层，所述黏附材料层用于黏附所述第三牺牲材料层与后续形成在其上的第二导电材料层。

8.根据权利要求3或4所述的形成方法，其特征在于，所述第一材料层材质为多晶硅。

9.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，经声音传输通道开口腐蚀所述第一材料层的第二部分。