[发明专利]具有预充电的位线多工器

说明书

技术领域

本发明是关于一种位线多工器，尤其是一种具有预充电的位线多工器。

背景技术

参考图1，其显示只读存储器的系统方块示意图。只读存储器(Read Only Memory)11是用以存储数据或程序等，其通常利用一行解码器12及一列解码器及多工器13读取数据或程序等。该现有只读存储器11是利用全面性(Global)的预充电，导致耗费不必要的功率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种具有预充电的位线多工器，可降低功率消耗。

本发明的技术方案是提供一种具有预充电的位线多工器，包括：一位线晶体管、一第一选择晶体管、一第二选择晶体管及一预充电晶体管。该位线晶体管的一栅极连接至一位线。该第一选择晶体管连接该位线晶体管及一输出端，该第一选择晶体管的一栅极连接至一位选择线。该第二选择晶体管连接该位线晶体管及一设定电位端，该第二选择晶体管的一栅极连接至该位选择线。该预充电晶体管连接至该位线晶体管及该第二选择晶体管，该预充电晶体管的一栅极连接至一预充电控制线。

利用本发明位线多工器，预充电控制线可在位选择线到达该设定电位的同时或之后，再至该设定电位，亦即预充电控制线及该预充电晶体管是在该位线多工器内分别地进行本地(Local)控制，故本发明的位线多工器可降低功率消耗。

附图说明

图1显示只读存储器的系统方块示意图；

图2显示本发明具有预充电的位线多工器的一实施例的电路示意图；

图3显示本发明具有预充电的位线多工器的一实施例的电路示意图；

图4显示本发明图2的位线多工器应用于只读存储器的电路示意图；

图5显示本发明图4的位选择线(BL_sel)、预充电控制线(Pre_BL)、字线(WL)及输出闩锁预充电控制线(Pre_ol)的时序示意图；

图6显示本发明图3的位线多工器应用于只读存储器的电路示意图；

图7显示本发明图6的位选择线(BL_sel)、预充电控制线(Pre_BL)、字线(WL)及输出闩锁预充电控制线(Pre_ol)的时序示意图。

符号说明：

11 只读存储器

12 行解码器

13 列解码器及多工器

20 具有预充电的位线多工器

21 位线晶体管

22 第一选择晶体管

23 第二选择晶体管

24 预充电晶体管

25 第三选择晶体管

30 具有预充电的位线多工器

31 位线晶体管

32 第一选择晶体管

33 第二选择晶体管

34 预充电晶体管

35 第三选择晶体管

41 存储单元

42 节点

43 输出闩锁器

61 存储单元

62 节点

63 输出闩锁器

211 位线晶体管的栅极

212 位线晶体管的源极

213 位线晶体管的漏极

221   第一选择晶体管的栅极

222   第一选择晶体管的源极

223   第一选择晶体管的漏极

231   第二选择晶体管的栅极

232   第二选择晶体管的源极

233   第二选择晶体管的漏极

241   预充电晶体管的栅极

242   预充电晶体管的源极

243   预充电晶体管的漏极

251   第三选择晶体管的栅极

252   第三选择晶体管的源极

253   第三选择晶体管的漏极

311   位线晶体管的栅极

312   位线晶体管的源极

313   位线晶体管的漏极

321   第一选择晶体管的栅极

322   第一选择晶体管的源极

323   第一选择晶体管的漏极

331   第二选择晶体管的栅极

332   第二选择晶体管的源极

333   第二选择晶体管的漏极

341   预充电晶体管的栅极

342   预充电晶体管的源极

343   预充电晶体管的漏极

351   第三选择晶体管的栅极

352   第三选择晶体管的源极