[发明专利]无氰电镀银栅多晶硅电池片及其制备方法

权利要求书

1.一种无氰电镀银栅多晶硅电池片，其特征在于：包括硅片（1）及印制在硅片（1）上的主栅和细栅导线，所述主栅和细栅导线由底部的银浆层（2）和覆盖在银浆层（2）上的电镀银层（3）构成。

2.根据权利要求1所述的无氰电镀银栅多晶硅电池片，其特征在于：所述银浆层（2）厚度为3-5μm。

3.根据权利要求1所述的无氰电镀银栅多晶硅电池片，其特征在于：所述电镀银层（3）厚度为4-10μm。

4.一种无氰电镀银栅多晶硅电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1）多晶硅电池片的主栅和细栅导线先经丝网印刷一层薄银浆层，再将银浆层烧结；

步骤2）将多晶硅电池片置于装有电镀液的电镀槽中，以银板作为阳极，多晶硅电池片作为阴极，在阳极、阴极之间施加直流电流，以银浆作为种子层，在银浆表面通过电化学方法电镀得到银层。

5.根据权利要求4所述的无氰电镀银栅多晶硅电池片的制备方法，其特征在于，所述电镀液配方为：硝酸银 40-50 g/L，硫代硫酸钠 200-260 g/L，无水亚硫酸钠 80-100 g/L，醋酸铵 20-40 g/L，醋酸钾 20-40 g/L，硼酸 15-35 g/L，烟酸 1-3 g/L，其余为去离子水。

6.根据权利要求4所述的无氰电镀银栅多晶硅电池片的制备方法，其特征在于：所述电镀液的pH值为5-6。

7.根据权利要求4所述的无氰电镀银栅多晶硅电池片的制备方法，其特征在于：在阳极、阴极之间施加的电流密度范围为：0.1-1.4A/dm²。

8.根据权利要求4所述的无氰电镀银栅多晶硅电池片的制备方法，其特征在于：步骤1中所述银浆层厚度为3-5μm。

9.根据权利要求4所述的无氰电镀银栅多晶硅电池片的制备方法，其特征在于：步骤2为室温条件下，所述电镀液采用磁力搅拌，电镀5-20min，控制镀层厚度在4-10μm，然后使用去离子水清洗表面后干燥，完成电镀。