[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410132055.8 申请日: 2014-04-03
公开(公告)号: CN104979488A 公开(公告)日: 2015-10-14
发明(设计)人: 周明杰;冯小明;张娟娟;王平 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及有机电致发光领域,特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件(OLED)的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。

目前,有机电致发光器件中的电子传输层多采用PN掺杂电子传输层的工艺,该工艺可以降低器件的启动电压以提高光效,并且有利于寿命的提高。对于电子传输层的N掺杂而言,通常采用碱金属化合物进行掺杂,这是由于碱金属功函低,容易实现N掺杂效果,但是碱金属离子体积较小,扩散能力强,在有机层中的扩散距离长,碱金属离子除了掺杂在电子传输层中,还有可能扩散至发光层中,直接导致激子的淬灭,影响器件的光效和寿命。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法,所述有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层,所述电子传输层的材质为有机锂、金属单质和有机电子传输材料形成的混合材料,有机锂不易产生游离的金属Li+,因而Li+扩散现象得以减缓,同时本发明有机电致发光器件的启动电压较低,从而延长了有机电致发光器件的使用寿命和发光效率。

第一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层,所述电子传输层的材质为有机锂、金属单质和有机电子传输材料形成的混合材料,所述有机锂和金属单质的质量比为5:(1~5),所述有机锂和有机电子传输材料的质量比为(5~30):100;所述有机锂为4-羟基菲啶锂(Liph)、2-(5-苯基-1,3,4-噁二唑)-苯酚锂(LiOXD)、2,3-二苯基-5-羟基喹啉锂(LiDPQX)、四(8-羟基喹啉)硼锂(LiBq4)、叔丁基环戊二烯锂(Li-TBCPD)或乙酰丙酮锂(Li(acac)),所述金属单质和阴极层的材质相同,均为银或铝,所述有机电子传输材料为8-羟基喹啉铝(Alq3)、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)。

优选地,所述电子传输层的厚度为20nm~60nm。

优选地,所述空穴传输层的厚度为20nm~60nm。

优选地,所述空穴传输层的材质为P型有机掺杂剂和空穴传输材料按质量比为(1~10):100的比例形成的混合材料,所述P型有机掺杂剂为2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌(F6-TNAP)或2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)。

更优选地,所述空穴传输材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、(N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)或2,7-双(N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基)-9,9-螺二芴(MeO-Sprio-TPD)。

优选地,所述发光层的材质为二甲基喹吖啶酮(DMQA)、5,6,11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi)或4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)。

优选地,所述发光层的厚度为10~30nm。

优选地,所述阴极层的厚度为70~200nm。

优选地,所述导电阳极的方块电阻为5~100Ω/□。

更优选地,所述导电阳极为氧化铟锡(ITO)导电玻璃。

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