[发明专利]用于接地参考单端存储器互连的系统

权利要求书

1.一种用于接地参考单端存储器互连的系统，包括：

第一处理单元，其包括第一接地参考单端信令(GRS)接口电路；

第一高速缓存存储器，其包括第二GRS接口电路；以及

多芯片模块(MCM)封装，其配置为包括接地网络和将所述第一GRS接口电路耦连到所述第二GRS接口电路的一个或多个电迹线，

其中所述第一GRS接口电路和所述第二GRS接口电路每个配置为通过将所述一个迹线与所述接地网络之间的电容器放电来沿所述一个或多个电迹线中的一个迹线传送脉冲，并且与传送脉冲相关联的电流在所述一个迹线和所述接地网络之间被本地平衡。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述电容器上带正电荷的节点耦连到所述一个迹线并且所述电容器上带负电荷的节点耦连到所述接地网络以生成表示逻辑值1的脉冲。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述电容器上带负电荷的节点耦连到所述一个迹线并且所述电容器上带正电荷的节点耦连到所述接地网络以生成表示逻辑值0的脉冲。

4.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一高速缓存存储器包括制造为包括两个或更多个穿片通孔的存储器芯片的堆叠。

5.根据权利要求4所述的系统，其中所述第一高速缓存存储器包括存储器芯片堆叠，并且其中所述存储器芯片堆叠的第一存储器芯片被制造为包括耦接至所述第一存储器芯片内的电路的第一穿片通孔，并且其中第二穿片通孔被配置为通过所述第一存储器芯片耦接直通信号，并且其中当所述第一存储器芯片围绕着旋转中心旋转一百八十度时，所述第一穿片通孔被布置在本质上与所述第二穿片通孔重叠的位置上。

6.根据权利要求5所述的系统，其中所述存储器芯片的堆叠还包括第二存储器芯片，所述第二存储器芯片被配置为包括所述第二GRS接口电路，并且其中所述第二GRS接口电路被耦接至直通信号。

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一高速缓存存储器包括静态随机存取存储器(SRAM)。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一GRS接口电路包括双向收发器电路。

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述双向收发器电路配置为串行化出站数据并且解串行化入站数据。

10.根据权利要求1所述的系统，进一步包括第二处理单元，所述第二处理单元包括第三GRS接口电路，并且其中所述第一高速缓存存储器进一步包括第四GRS接口电路，并且所述一个或多个电迹线将所述第三GRS接口电路耦连到所述第四GRS接口电路。

11.根据权利要求10所述的系统，进一步包括第二高速缓存存储器，所述第二高速缓存存储器包括第五GRS接口电路和第六GRS接口电路，其中所述第一处理单元包括第七GRS接口电路并且所述第二处理单元包括第八GRS接口电路，所述一个或多个电迹线将所述第七GRS接口电路耦连到所述第五GRS接口电路，并且将所述第八GRS接口电路耦连到所述第六GRS接口电路。

12.根据权利要求10所述的系统，其中所述第一处理单元包括中央处理单元，并且所述第二处理单元包括图形处理单元。

13.根据权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个电迹线通过第一路由电路将所述第一GRS接口电路互连到所述第二GRS接口电路。

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述第一路由电路配置为将数据从入站GRS接口电路传送到出站GRS接口电路。

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述第一路由电路配置为通过第三GRS接口电路将数据传送到第二路由电路。

16.根据权利要求13所述的系统，进一步包括耦连到所述第一路由电路的第二高速缓存存储器。

17.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一高速缓存存储器包括多个库以及耦连在第一库与所述第二GRS接口电路之间的仲裁电路。

18.根据权利要求1所述的系统，其中所述封装包括有机衬底。

19.根据权利要求1所述的系统，其中所述封装包括硅衬底。