[发明专利]焊球凸块与封装结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201410133209.5 申请日: 2014-04-03
公开(公告)号: CN104766849B 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 庄东汉;蔡幸桦;李俊德 申请(专利权)人: 乐金股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60;C22C5/06
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 郝新慧;张浴月
地址: 中国台*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 焊球凸块 封装 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种焊球凸块结构,包括:

一第一芯片;以及

一银合金焊球凸块,设置于该第一芯片上,其中该银合金焊球凸块的组成是:

大于或等于0.01重量%且小于0.05重量%的钯、10至800ppm的微量金属与余量的银,其中上述微量金属包含10至600ppm的铍、10至100ppm的铈、10至100ppm的镧中的至少一种。

2.如权利要求1所述的焊球凸块结构,其中该第一芯片包括一已被分离的一单一的半导体芯片或未切割的一半导体芯片中的一个芯片。

3.如权利要求1所述的焊球凸块结构,其中该芯片还包括一焊垫,且该银合金焊球凸块位于该焊垫上。

4.一种封装结构,包含:

一第一芯片,具有一芯片上焊垫;

一芯片上银合金焊球凸块,设置于该第一芯片的该芯片上焊垫上;以及

一基板,藉由与该第一芯片倒装芯片接合的形式,以其一基板上焊垫电性连接于该芯片上银合金焊球凸块;其中

该芯片上银合金焊球凸块是:

大于或等于0.01重量%且小于0.05重量%的钯、10至800ppm的微量金属与余量的银,其中上述微量金属包含10至600ppm的铍、10至100ppm的铈、10至100ppm的镧中的至少一种。

5.如权利要求4所述的封装结构,其中该第一芯片包括一已被分离的一单一的半导体芯片或未切割的一半导体芯片中的一个芯片。

6.如权利要求4所述的封装结构,其中该基板包括一硅中介层的第二芯片、一硅中介层芯片、一陶瓷中介层基板或一印刷电路板。

7.如权利要求4所述的封装结构,其中该芯片上银合金焊球凸块与该基板上焊垫之间是经由一黏胶而电性接合、经由一焊锡而电性接合或直接热压而电性接合。

8.如权利要求7所述的封装结构,其中该黏胶是等方性导电胶或异方性导电胶。

9.如权利要求7所述的封装结构,其中该芯片上银合金焊球凸块与该基板上焊垫是藉由一非导电胶的支持而直接接触。

10.如权利要求7所述的封装结构,其中该芯片上银合金焊球凸块与该基板上焊垫是藉由直接加热及加压使银合金焊球凸块塑性变形并与焊垫材料进行反应形成接合界面。

11.如权利要求7所述的封装结构,其中在该芯片上银合金焊球凸块与该基板上焊垫的直接接触的界面,包含具有焊锡合金或含锡的介金属化合物。

12.一种封装结构的形成方法,包含:

提供一银合金焊线;

烧熔该银合金焊线的一端以形成一球状物;

将该球状物接合至一第一芯片的一芯片上焊垫上;

截断该银合金焊线,使得该球状物留在该芯片上焊垫上以形成一芯片上银合金焊球凸块;以及

以倒装芯片接合,将该第一芯片经由该芯片上银合金焊球凸块电性接合于一基板的一基板上焊垫;其中

该银合金焊线是:

大于或等于0.01重量%且小于0.05重量%的钯、10至800ppm的微量金属与余量的银,其中上述微量金属包含10至600ppm的铍、10至100ppm的铈、10至100ppm的镧中的至少一种。

13.如权利要求12所述的封装结构的形成方法,其中该倒装芯片接合还包含:

将该第一芯片翻覆而将该芯片上焊垫上的该芯片上银合金焊球凸块放置在该基板的焊垫上;以及

将该芯片上银合金焊球凸块与该基板上焊垫以一黏胶接合。

14.如权利要求13所述的封装结构的形成方法,其中该黏胶是等方性导电胶或异方性导电胶。

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