[发明专利]一种金属支架表面改性方法无效
申请号: | 201410133352.4 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN103924202A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 冷永祥;陈赏;谢东;黄楠 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;A61F2/82;A61M29/00;A61L31/08 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李顺德;王睿 |
地址: | 610031 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属支架 表面 改性 方法 | ||
1.一种金属支架表面改性方法,包括如下步骤:
A、将金属支架分别在酒精和蒸馏水中超声清洗20~40分钟并取出,烘干待用;
B、打开高功率脉冲磁控溅射装置的真空室(2),安装纯度为99.99%的钛靶(8),将金属支架放入真空室(2)中样品台(3),关闭真空室(2),抽真空至0.5×10-3Pa~2×10-3Pa;
C、打开气阀(4),向真空室(2)内通入氩气至压力0.5~1.5Pa,打开溅射清洗电源,溅射清洗钛靶(8)10~20分钟,关闭气阀(4)及溅射清洗电源;
D、打开气阀(4),向真空室(2)内通入氩气至压力0.5~3.5Pa,打开偏压电源(6),在金属支架上施加-50~-1000V的偏压,对金属支架进行溅射清洗10~30分钟,然后关闭气阀(4)及偏压电源(6);
E、打开气阀(4),向真空室(2)内通入氩气至压力0.5~2.0Pa,打开偏压电源(6),在金属支架上施加频率为1kHz~50kHz,占空比为10%~50%的脉冲偏压,打开高功率脉冲磁控溅射电源(1),在金属支架表面沉积10~45秒的纯钛薄膜,关闭气阀(4)、偏压电源(6)及高功率脉冲磁控溅射电源(1);
F、打开气阀(4)和气阀(5),同时向真空室(2)内通入分压为0.05~0.2Pa的氧气和分压为0.5~2.0Pa的氩气;打开偏压电源(6),在金属支架上施加-20~-200V的偏压,打开高功率脉冲磁控溅射电源(1),在金属支架表面沉积5~25分钟的氧化钛薄膜,关闭气阀(4)和气阀(5)及高功率脉冲磁控溅射电源(1);真空室(2)温度低于80℃时,停真空泵(7),取出金属支架。
2.根据权利要求1所述的一种金属支架表面改性方法,其特征在于,所述金属支架表面沉积的氧化钛薄膜的厚度为10~100nm。
3.根据权利要求1所述的一种金属支架表面改性方法,其特征在于:所述金属支架表面沉积的纯钛薄膜厚度为5~30nm。
4.根据权利要求1所述的一种金属支架表面改性方法,其特征在于:所述的过渡层为纯钛过渡层。
5.根据权利要求1所述的一种金属支架表面改性方法,其特征在于,所述脉冲偏压的范围为-100~-2000V。
6.根据权利要求1所述的一种金属支架表面改性方法,其特征在于,所述的高功率脉冲磁控溅射电源(1)对钛靶(8)放电电压为600~1200V,频率为50~1000Hz,脉宽为50~400μs。
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