[发明专利]一种垂直各向异性人工反铁磁耦合多层膜材料有效
申请号: | 201410133550.0 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN103956249B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 张勖;蔡建旺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01F10/32 | 分类号: | H01F10/32;H01F10/12;H01L43/10 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 垂直 各向异性 人工 反铁磁 耦合 多层 材料 | ||
1.一种具有垂直各向异性的多层膜,其特征在于,所述多层膜为人工反铁磁结构,包括至少两层氧化物势垒层和位于每相邻两层氧化物势垒层之间的一铁磁-非磁复合层;所述铁磁-非磁复合层包括两层铁磁层以及位于两层铁磁层之间的一层核心非磁性层;其中核心非磁性层的厚度为1-5nm;所述垂直各向异性的人工反铁磁结构为垂直反铁磁耦合。
2.如权利要求1所述的多层膜,其特征在于,所述的核心非磁性层由Ta、Mo、Ru、Pd、Au、Hf、V、Ti、Cu、Pt、Cr、W中的至少一种组成。
3.如权利要求1所述的多层膜,其特征在于,铁磁层的单层厚度为0.5-10nm;各铁磁层的制作材料相同或不同,各铁磁层的制作材料厚度相同或不同。
4.如权利要求1所述的多层膜,其特征在于,所述氧化物势垒层采用镁氧化物、铝氧化物或镁铝氧化物中的一种或多种制备。
5.如权利要求1或4所述的多层膜,其特征在于,所述氧化物势垒层的单层厚度为0.5-10nm。
6.如权利要求1或4所述的多层膜,其特征在于,各氧化物势垒层的制作材料相同或不同,各氧化物势垒层的制作材料厚度相同或不同。
7.如权利要求1所述的多层膜,其特征在于,所述的人工反铁磁多层膜还包括一基片层;所述基片层位于位于最外层的氧化物势垒层的外侧。
8.如权利要求7所述的多层膜,其特征在于,在基片层与其相邻的氧化物势垒层之间还有缓冲层。
9.如权利要求1、7或8所述的多层膜,其特征在于,在另一最外层的氧化物势垒层的外层,还有保护层。
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