[发明专利]用于电流测量的设备

权利要求书

1.用于电流测量的设备，包括：

具有第一电流导体(3)的衬底(2)，以及

具有第二电流导体(5)的电流传感器(4)，其中所述电流传感器(4)

被配置为测量流过所述第一电流导体(3)的第一电流与流过所述第二电流导体(5)的第二电流的和或差，

被封入IC外壳(6)中并安装在所述衬底(2)上的所述第一电流导体(3)上方，其中所述第二电流导体(5)与附接的第一和第二终端引线(7，8)整体地形成，并包括第三终端引线(9)和半导体芯片(10)，所述半导体芯片(10)具有带有磁场传感器(11)的有效表面和用于所述磁场传感器(11)的操作的电子电路，所述半导体芯片(10)安装在所述第二电流导体(5)上，其中

所述第二电流导体(5)嵌入在所述IC外壳(6)中，

所述第一和第二终端引线(7，8)在所述IC外壳(6)的第一侧壁(12)上从所述外壳(6)伸出，所述外壳(6)的与所述第一侧壁(12)相对的侧壁(13)上的所述第三终端引线(9)，朝所述衬底(2)弯曲，

所述半导体芯片(10)安装在所述第二电流导体(5)的面向所述衬底(2)的侧面上，

半导体芯片(10)的电气终端通过接合线(14)连接到所述第三终端引线(9)，

所述第二电流导体(5)在所述第一电流导体(3)的上方并平行于所述第一电流导体(3)延伸，其中在操作中，要测量的第一电流流过所述第一电流导体(3)，以及要测量的第二电流流过所述第二电流导体(5)，

所述磁场传感器(11)对磁场的平行于所述半导体芯片(10)的所述有效表面并垂直于所述第二电流导体(5)延伸的分量敏感，使得由流过所述第一电流导体(3)的电流产生的磁场以及由流过所述第二电流导体(5)的电流产生的磁场被所述磁场传感器(11)感测。

2.根据权利要求1所述的设备，其中要测量的第一电流和要测量的第二电流是相同电流，并且其中第二电流导体(5)以如下方式电气连接到第二终端引线(8)，该方式使得所述要测量的电流流过第一电流导体(3)，并且以相反方向流过第二电流导体(5)。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述衬底(2)包括至少又一个电流导体(19)，该电流导体(19)以如下方式与所述第一电流导体(3)串联连接，该方式使得要测量的电流以相同方向流过所述第一电流导体(3)和所述至少又一个电流导体(19)。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备以如下方式配置：该方式使得在操作中，要测量的所述第一电流以预定方向流过所述第一电流导体(3)，以及要测量的第二电流以相同方向流过所述第二电流导体(5)，从而由第一电流所生成的磁场和由第二电流所生成的磁场在磁场传感器(11)的位置处指向相反的方向，并且以如下方式彼此调节第一电流导体(3)与磁场传感器(11)的宽度和距离以及第二电流导体(5)与磁场传感器(11)的宽度和距离：该方式使得如果第一电流和第二电流具有相同的强度，则由第一电流所生成的磁场在磁场传感器(11)的位置处的量和由第二电流所生成的磁场在磁场传感器(11)的位置处的量一样强。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其中，磁屏蔽(22)被附接到所述第二电流导体(5)的与半导体芯片(10)相对的侧面上。

6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其中所述磁场传感器包括至少一个磁场集中器(17)和至少一个霍尔元件(18)，其中所述霍尔元件(18)是被布置在所述磁场集中器(17)下方的所述磁场集中器(17)的边缘区域中的水平霍尔元件，或者是被布置在与所述磁场集中器(17)相邻的所述磁场集中器(17)的边缘区域中的垂直霍尔元件。

7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其中所述磁场传感器(11)是AMR或GMR或磁通门传感器。

8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其中，陶瓷板(21)被布置在所述半导体芯片(10)和所述电流传感器(4)的所述第二电流导体(5)之间。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述陶瓷板(21)在所有四个侧面伸出所述半导体芯片(10)以外至少0.1mm。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述陶瓷板(21)在所有四个侧面伸出所述半导体芯片(10)以外至少0.4mm。