[发明专利]信号传输线结构及其应用的电子装置有效
申请号: | 201410134385.0 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN104981087B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 颜孝璁;简育生;叶达勋 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,吴孟秋 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信号 传输线 结构 及其 应用 电子 装置 | ||
1.一种使用信号传输线结构的电子装置,包括:
信号传输线结构,包括:
基板,具有彼此相对的第一表面以及第二表面;
硅穿孔式沟槽,在所述第一表面形成并沿着所述第一表面延伸,其中所述硅穿孔式沟槽的底面位于所述第一表面与所述第二表面之间;
导电物质,填满所述硅穿孔式沟槽以形成传输线路;
至少一个第一导电线路,位于所述传输线路的上方;以及
介电层,位于所述第一表面上并隔开所述至少一个第一导电线路与所述传输线路;
前级电路,耦接所述传输线路的一端以及所述至少一个第一导电线路的一端;以及
后级电路,耦接所述传输线路的另一端以及所述至少一个第一导电线路的另一端;
其中,所述前级电路与所述后级电路具有不同特征阻抗或不同相位,并且所述信号传输线结构被用来调整所述特征阻抗或所述相位;
其中,硅穿孔式沟槽由第一表面开始向第二表面延伸深度H1,但不贯穿基板,其中,所述硅穿孔式沟槽的深度大于二分之一的所述基板的厚度,或所述硅穿孔式沟槽的深度大于5微米。
2.根据权利要求1所述的使用信号传输线结构的电子装置,其中所述至少一个第一导电线路的一端的宽度与所述至少一个第一导电线路的另一端的宽度不同。
3.根据权利要求1所述的使用信号传输线结构的电子装置,其中所述至少一个第一导电线路为多个,并且所述传输线结构还包括:
至少一个第一导通孔,贯穿所述介电层,各第一导通孔的一端耦接所述传输线路,各第一导通孔的另一端耦接所述至少一个第一导电线路之中的一个。
4.根据权利要求3所述的使用信号传输线结构的电子装置,还包括:
至少一个第二导电线路,位于所述传输线路与所述第一导电线路之间,其中所述至少一个第一导通孔贯穿并耦接所述至少一个第二导电线路。
5.根据权利要求1所述的使用信号传输线结构的电子装置,其中所述硅穿孔式沟槽的配置宽度大于所述至少一个第一导电线路的配置宽度。
6.根据权利要求1所述的使用信号传输线结构的电子装置,其中所述至少一个第一导电线路的样式与所述传输线路的样式的至少一部分相同。
7.根据权利要求1所述的使用信号传输线结构的电子装置,其中,所述传输线路为接地路径。
8.根据权利要求1所述的使用信号传输线结构的电子装置,其中,所述至少一个第一导电线路之一者为接地路径。
9.根据权利要求1所述的使用信号传输线结构的电子装置,还包括:
绝缘层,位于所述基板与所述传输线路之间,以将所述传输线路与所述基板隔离。
10.一种信号传输线结构,包括:
基板,具有彼此相对的第一表面以及第二表面;
硅穿孔式沟槽,在所述第一表面形成并沿着所述第一表面延伸,其中所述硅穿孔式沟槽的底面位于所述第一表面与所述第二表面之间;
导电物质,填满这些硅穿孔式沟槽以形成传输线路;
至少一个第一导电线路,位于所述传输线路的上方;以及
介电层,位于所述第一表面上并隔开所述至少一个第一导电线路与所述传输线路;
其中,硅穿孔式沟槽由第一表面开始向第二表面延伸深度H1,但不贯穿基板,其中,所述硅穿孔式沟槽的深度大于二分之一的所述基板的厚度,或所述硅穿孔式沟槽的深度大于5微米。
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