[发明专利]一种抗PID晶体硅太阳能电池制作方法

权利要求书

1.一种抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法，该抗PID晶体硅太阳能电池在硅基片和氮化硅之间制作一层氧化硅，以获得抗PID的效果，其特征在于：所述氧化硅使用臭氧氧化工艺制备而成。

2.如权利要求1所述的抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述臭氧氧化工艺包括步骤：

1）提供一经过扩散处理后的硅基片;

2）对所述硅基片进行清洗；

3）将所述硅基片至于臭氧氛围中，使硅基片的扩散面在臭氧中氧化，直至该氧化动作自然停止，得到所需氧化硅层。

3.如权利要求2所述的抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤2）中的清洗包括：使用HF溶液清洗去除所述硅基片表面的磷硅玻璃层，所述HF溶液的体积浓度为2～8%，清洗温度为10～30℃，清洗时间为10～200s。

4.如权利要求2所述的抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述臭氧由臭氧发生器提供，该臭氧的浓度为5～100ppm。

5.如权利要求4所述的抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述氧化动作所需的处理时间为3s～60min，温度为15～25℃，得到的所述氧化硅层的厚度为0.6～2nm。

6.如权利要求2所述的抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤2）和步骤3）之间的间隔时间小于30min。

7.如权利要求2所述的抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述臭氧氧化工艺之后，还包括步骤4）：在氧化硅层表面沉积氮化硅层。

8.如权利要求7所述的抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述氮化硅层的厚度在80～90nm之间，折射率为2.00～2.15。

9.如权利要求7所述的抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤3）和步骤4）之间的间隔时间小于30min，或者当所述步骤3）和步骤4）之间的间隔时间超过30min时，对所述硅基片实施一清洗动作，以去除表面的自然氧化层，之后再将硅基片进行步骤3)。