[发明专利]调控糖基化修饰的方法在审
| 申请号： | 201410134445.9 | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104974979A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 田攀;李锦才;张秀芹;邱坚平;汪国强;许静;吴燕;洪巧巧;程安阳;周伟昌;陈智胜 | 申请（专利权）人： | 上海药明康德新药开发有限公司;无锡药明康德生物技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C12N5/073 | 分类号： | C12N5/073 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 200131 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调控 糖基化 修饰 方法 | ||
1.一种调控糖基化修饰的方法，其特征在于，包括：以下的方法I或方法II；
（1）方法I
调整表达抗体的细胞株的基础培养基和补料培养基的配比，进行表达抗体的细胞株的培养，从而调控抗体的糖基化修饰；
（2）方法II
通过流加补料培养基，进行表达抗体的细胞株的培养，从而调控抗体的糖基化修饰。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法I中，基础培养基包括：多宁S4基础培养基和Hyclone Hycell基础培养基；
补料培养基包括：多宁2×105；其中，补料培养基的流加总量为基础培养基体积的20%～50%；
表达抗体的细胞株包括：中国仓鼠卵巢细胞。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述多宁S4基础培养基与Hyclone Hycell基础培养基的体积比范围为9:1～1:9；
方法I中，表达抗体的细胞株的培养温度为30℃～38℃，培养周期为9天～20天。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述多宁S4基础培养基与Hyclone Hycell基础培养基的体积比为1:1。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述补料培养基的加入过程为如下：
在进行表达抗体的细胞株的培养中，在第3天加入5%多宁2×105补料培养基，第6天加入10%多宁2×105补料培养基，第8天加入10%多宁2×105补料培养基，第10天加入10%多宁2×105补料培养基。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法II中，补料培养基包括：多宁公司的2×210补料培养基；其中，补料培养基流加总量为基础培养基体积的20%～50%；
方法II中，表达抗体的细胞株包括：中国仓鼠卵巢细胞。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述补料培养基的加入过程为如下：
在进行表达抗体的细胞株的培养中，在第3天加入5%多宁2×210补料培养基，第6天加入10%多宁2×210补料培养基，第8天加入10%多宁2×210补料培养基，第10天加入10%多宁2×210补料培养基，第12天加入5%多宁2×210补料培养基。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法II中，表达抗体的细胞株的培养温度为30℃～38℃，培养周期为9天～20天。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述培养温度为36.5℃，培养周期为14天。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法II中，表达抗体的细胞株的培养中的基础培养基包括：Hyclone公司的SFM4系列基础培养基、Hyclone公司的Hycell CHO基础培养基、Invitrogen公司的CD Forti CHO基础培养基、Hyclone公司的Cell Boost5基础培养基或Life technology公司的CD Opti CHO基础培养基。
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