[发明专利]一种电流采样电路及方法

权利要求书

1.一种电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路包括：比例电流输出电路、全差分共模负反馈电路；其中，

所述比例电流输出电路，用于对功率器件输出的电流按照预设比例计算，得到第一比例电流及第二比例电流，并输出到所述全差分共模负反馈电路；其中，所述功率器件采用第一横向扩散N沟道金属氧化物半导体第一LDNMOS实现；所述比例电流输出电路包括：第二LDNMOS、第三LDNMOS、第四LDNMOS、第五LDNMOS；

其中，所述第二LDNMOS的漏极与所述第四LDNMOS的漏极和供电电源连接，所述第二LDNMOS的栅极与所述第一LDNMOS的栅极、所述第三LDNMOS的栅极及hdrv_in驱动电压连接，所述第二LDNMOS的源极与所述第三LDNMOS的漏极及所述第五LDNMOS的漏极连接；所述第三LDNMOS的源极与所述第一LDNMOS的源极及第一参考电流源的一端连接；所述第四LDNMOS的栅极与所述第五LDNMOS的栅极连接，所述第四LDNMOS的源极与所述全差分共模负反馈电路中的第一PMOS的源极及第三PMOS的源极连接；

所述全差分共模负反馈电路，用于采用全差分共模负反馈网络及微安级的偏置电流，对所述第一比例电流及第二比例电流分别进行分流，得到第一采样电流及第二采样电流并恒定输出；所述全差分共模负反馈电路包括：P沟道金属氧化物半导体第一PMOS、第二PMOS、第三PMOS、第四PMOS、第一电阻、第二电阻、第二参考电流源、第三参考电流源、第四参考电流源、第五参考电流源；

其中，所述第一PMOS的栅极与所述第二PMOS的栅极连接，所述第一PMOS的漏极与所述第一电阻的一端、第四PMOS的栅极及第三参考电流源的一端连接；所述第二PMOS的漏极与所述第二电阻的一端、第三PMOS的栅极及第四参考电流源的一端连接；所述第三PMOS的漏极与第二参考电流源的一端连接；所述第四PMOS的漏极与第五参考电流源连接；所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的另一端、所述第一PMOS的栅极和所述第二PMOS的栅极连接；所述第一参考电流源、第二参考电流源、第三参考电流源、第四参考电流源和第五参考电流源的另一端均连接接地点。

2.根据权利要求1所述的电流采样电路，其特征在于，

在所述比例电流输出电路中，所述第五LDNMOS的源极与所述全差分共模负反馈电路中的第二PMOS的源极及第四PMOS的源极连接；

所述第一LDNMOS的漏极连接至所述供电电源。

3.一种电流采样方法，其特征在于，所述方法包括：

对功率器件输出的电流按照预设比例计算，得到第一比例电流及第二比例电流；其中，所述功率器件采用横向扩散N沟道金属氧化物半导体第一LDNMOS实现；

按照如下公式得到第一采样电流I_sense+及第二采样电流I_sense-：

I_sense+＝I_J1-I_b；

I_sense-＝I_J2-I_b；

其中，I_J1为所述第一比例电流，I_J2为所述第二比例电流，I_b为全差分共模负反馈网络提供的微安级的偏置电流；

恒定输出第一采样电流和第二采样电流。

4.根据权利要求3所述的电流采样方法，其特征在于，所述对功率器件输出的电流按照预设比例计算，得到第一比例电流及第二比例电流，包括：

先计算功率器件输出的电流与预设比例的比值，并将得到的比值作为比例支路的电流值；

再根据比例支路的电流值确定第一比例电流及第二比例电流。