[发明专利]功率半导体器件的高温测试方法在审
| 申请号： | 201410134465.6 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104977517A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 朱阳军;褚为利;陆江 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道2*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 高温 测试 方法 | ||
1.一种功率半导体器件的高温测试方法，其特征在于，包括：
对待测的功率半导体器件进行预设时间的短路，使所述功率半导体器件的结温升高至所需的测试温度；
对所述功率半导体器件进行所述测试温度对应的高温测试。
2.根据权利要求1所述的高温测试方法，其特征在于，所述预设时间小于或等于1min。
3.根据权利要求1所述的高温测试方法，其特征在于，所述对所述功率半导体器件进行预设时间的短路具体为：向所述功率半导体器件的栅极施加一脉宽调制信号，同时向所述功率半导体器件的集电极和发射极直接施加一偏置电压。
4.根据权利要求3所述的高温测试方法，其特征在于，所述预设时间随所述脉宽调制信号的占空比的增大而减小，所述预设时间随所述脉宽调制信号的占空比的减小而增大。
5.根据权利要求3所述的高温测试方法，其特征在于，所述脉宽调制信号的周期小于或等于10μs。
6.根据权利要求3所述的高温测试方法，其特征在于，所述偏置电压小于或等于所述功率半导体器件的击穿电压的80%。
7.根据权利要求1所述的高温测试方法，其特征在于，所述对待测的功率半导体器件进行预设时间的短路具体为：利用电学测试仪器对待测的功率半导体器件进行预设时间的短路；
所述对所述功率半导体器件进行所述测试温度对应的高温测试具体为：利用对所述功率半导体器件进行短路的电学测试仪器对所述功率半导体器件进行所述测试温度对应的高温测试。
8.根据权利要求1～7任一项所述的高温测试方法，其特征在于，所述高温测试包括：饱和导通压降测试、耐压测试、短路耐量测试、开启时间测试和关断时间测试。
9.根据权利要求1～7任一项所述的高温测试方法，其特征在于，所述功率半导体器件为全控型功率半导体器件。
10.根据权利要求9所述的高温测试方法，其特征在于，所述功率半导体器件为绝缘栅双极型晶体管、垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管或功率氧化物半导体场效应晶体管。
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