[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410134556.X 申请日: 2014-04-03
公开(公告)号: CN104979491A 公开(公告)日: 2015-10-14
发明(设计)人: 周明杰;冯小明;张娟娟;王平 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 何平
地址: 518100 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电致发光技术领域,特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Light Emission Diode,OLED)具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性,同时拥有高清晰、广视角,以及响应速度快等优势,是一种极具潜力的显示技术和光源,符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势,以及绿色照明技术的要求,是目前国内外众多研究者的关注重点。

柔性OLED发光器件具有挠曲性和轻便性的优点。但是传统的OLED发光装置也存在一些问题,例如,OLED通常采用氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)薄膜作为阳极,但是ITO需要采用稀有金属铟,价格较为昂贵,并且其通常需要采用较高的溅射温度才能制备出高导电性的薄膜,对于柔性器件而言,这是不利的。目前,为了取代ITO薄膜,许多研究者开发了介质/金属/介质形态(DMD结构)的阳极,例如,WO3/Ag/WO3结构。这类阳极可以采用蒸发工艺制备成膜,因此适用于制备柔性电极。

柔性OLED发光器件中,光从阳极层向柔性基板方向传输时,由于折射率差异,会产生全反射现象。而全反射临界角的大小与折射率差值成反比。由于传统的柔性OLED发光器件中,阳极的WO3的折射率一般在1.95,而基板的柔性PET薄膜的折射率一般在1.6左右。因此,阳极和基板之间的折射率相差较大,全反射临界角较小。光从阳极向基板传输时,在阳极与基板的界面容易产生全反射,光输出较少,从而使光提取效率较低。

发明内容

基于此,有必要提供一种光提取效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件,包括依次层叠的柔性基板、光匹配层、阳极层、发光单元和阴极层,所述发光单元包括依次层叠在所述阳极层上的空穴传输层、发光层、电子传输层,所述光匹配层的材料为质量比为10~30:100的无机纳米颗粒和光固化粘结剂的混合物,所述光固化粘结剂的折射率大于1.6,所述光固化粘结剂为环氧树脂或聚丙烯酸酯,所述无机纳米颗粒在550nm处的折射率大于2.4。

在其中一个实施例中,所述光匹配层的厚度为20μm~100μm。

在其中一个实施例中,所述无机纳米颗粒为硫化铅颗粒、硫化锌颗粒或二氧化钛颗粒。

在其中一个实施例中,所述无机纳米颗粒的粒径为5nm~25nm。

在其中一个实施例中,所述阳极层包括依次层叠的第一介质层、金属层和第二介质层,所述第一介质层与所述光匹配层直接接触;

所述第一介质层的材料为三氧化钨、三氧化钼或硫化锌,所述第一介质层的厚度为40nm~80nm;

所述金属层的材料为银、镁、铝或金,所述金属层的厚度为15nm~30nm;

所述第二介质层的材料为三氧化钨、三氧化钼或硫化锌,所述第二介质层的厚度为40nm~80nm。

一种有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:

提供柔性基板;

采用丝网印刷技术将光固化粘结剂和无机纳米颗粒的混合物印刷在所述柔性基板上,接着将所述混合物光固化形成光匹配层,所述混合物中所述无机纳米颗粒和所述光固化粘结剂的质量比为10~30:100,所述光固化粘结剂的折射率大于1.6,所述光固化粘结剂为环氧树脂或聚丙烯酸酯,所述无机纳米颗粒在550nm处的折射率大于2.4;

采用真空热阻蒸镀法在所述光匹配层上形成阳极层;

采用真空蒸镀法在所述阳极层上形成发光单元,所述发光单元包括依次层叠在所述阳极层上的空穴传输层、发光层、电子传输层;以及

采用真空蒸镀法在所述发光单元上形成阴极层。

在其中一个实施例中,所述采用丝网印刷技术将光固化粘结剂和无机纳米颗粒的混合物印刷在所述柔性基板上的步骤中,采用的丝网为600目~1000目的丝网。

在其中一个实施例中,所述光固化粘结剂和无机纳米颗粒的混合物通过如下步骤制备,将所述光固化粘结剂和所述无机纳米颗粒混合,超声分散1小时~5小时,混合均匀后得到所述光固化粘结剂和无机纳米颗粒的混合物。

在其中一个实施例中,采用真空热阻蒸镀法在所述光匹配层上形成阳极层的步骤中,真空度为1×10-5Pa~1×10-3Pa,蒸发速度为0.1nm/s~1nm/s;

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